本发明专利技术的发光显示装置用荧光体粒子（１７），是由荧光体材料构成的发光显示装置用荧光体粒子，荧光体材料含有在Ａｌ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｂａ、Ｓｒ和Ｙ之中至少１个元素（１８）。从荧光体粒子表面（１７ｓ）至深度为２０ｎｍ为止的范围内（１７ａ），有Ａｌ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｂａ、Ｓｒ和Ｙ之中至少１个元素（１８）在深度方向的浓度分布的极大值。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于电视等的图像显示的等离子体显示装置等的发光显 示装置及其所使用的荧光体粒子。
技术介绍
近年来，对于高精细、高品质、大画面的电视的需要提高。等离子体显示装置(也称为Plasma Display Panel (PDP))除了这些特点以外，也具 有薄型、还轻量这样的特点。因此，使用等离子体显示装置的等离子体电 视受到注目。等离子体显示装置通过所主谓的三原色相加混色来进行全色(foil color)显示。为了进行该全色显示，在PDP上发出作为三原色的红(R)、 绿(G)、蓝(B)的各色的光的荧光体层设置在隔壁中。构成荧光体层的 荧光体粒子，受到在等离子体显示装置的放电单元(discharge cell)内发 生的中心波长为147nm的Xe的共振线、和中心波长为172nm的分子束形 成的真空紫外线激励，生成红、绿、蓝各色可见光。等离子显示装置中，在放电单元内陷获等离子体而使紫外线发生。因 此，荧光体层被曝露在等离子体中，由于等离子体中的阳离子与荧光体粒 子碰撞，从而导致荧光体粒子劣化这样的问题。非专利文献l和专利文献 1至4公开，通过以氧化铝、氧化镁等金属氧化物涂覆荧光体粒子的表面， 从而防止荧光体粒子的劣化。专利文献1:特开平10-125240号公报专利文献2:特开平11-172244号公报专利文献3:特开2001-55567号公报专利文献4:特开平10-195428号公报非专利文献l:电气学会技术报告第830号2001年5月p30-39非专利文献2: NHK技研 R&D/No.93/2005.9随着高精细的电视播放的普及，要求作为像素数1920 (水平)X1080 (垂直)的全高清电视(Full-spec High-Vision)的显示装置。全高清电视 的显示装置与作为现有的像素数为852 (水平)X480 (垂直)的NTSC的 显示装置比较，像素数是其6倍，显示电极和地址电极的数量变为2.25 倍。因此，在全高清电视的等离子体显示装置中，每单位英寸的发光单元 的面积非常小，为现有的NTSC方式的显示装置的单元的1/6左右，另外， 电极数也增加至2.25倍。由于上述的理由，为了实现全高清电视的等离子体显示装置，就需要 提高各单元的发光效率。因此，在现有全高清电视的等离子体显示装置中， 就要縮小构成单元的隔壁间隔，减小作为不发光区域的隔壁的面积。例如， 如果是42尺寸的全高清电视的等离子体显示装置，则1个像素的尺寸为 0.48mm，分离各色的单元的隔壁的厚度设置为0.16mm左右。另外，为了防止由于单元尺寸变小而带来的发光效率的降低，则要提 高作为放电气体的Xe气的浓度。例如，Ne-Xe混合气体中的Xe气分压提 高到15%以上。但是，采用这种构造时，随着单元的微细化是放电空间狭窄，由放电 产生的电子容易向隔壁侧漂移(drift)并消失。因此，为了得到与现有的 面板相同的亮度而需要外加更高的放电电压。其结果是产生消费电力增 大，亮度效果降低这样的新问题。另外，随着放电电压的上升而来的是与 荧光体粒子碰撞的离子的碰撞变大，还会产生面板的亮度劣化加速这样的 问题(非专利文献K 2)。非专利文献1和专利文献1至4所公开的技术，不能充分解决这些问 题。这一课题不仅与等离子体显示装置，而且与场致发射型显示装置等使 用荧光体显示图像的发光显示装置共通。
技术实现思路
本专利技术鉴于上述现有技术的课题而做，其目的在于，提供一种亮度劣 化少的荧光体粒子、等离子体显示装置和发光显示装置。本专利技术的发光显示装置用荧光体粒子，是由荧光体材料构成的发光显示装置用荧光体粒子，所述荧光体材料含有在Al、 Mg、 Ca、 Ba、 Sr和Y 之中至少1个元素，从所述荧光体粒子表面至深度为20nm为止的范围内， 有所述至少1个元素在深度方向的浓度分布的极大值。在一种优选的实施方式中，从所述荧光体粒子表面至深度为20nm为 止的所述至少1个元素的平均浓度比所述荧光体粒子整体的平均浓度的1 倍大、在3倍以下。在一种优选的实施方式中，在所述荧光体粒子中，除所述至少l个元 素以外，构成所述荧光体材料的其他元素的分布实质上均一。在一种优选的实施方式中，通过使所述至少1个元素从所述荧光体粒 子表面向内部扩散，而使在从所述荧光体粒子表面至深度为20nm为止的 所述至少1个元素的平均浓度得以提高。在一种优选的实施方式中，所述荧光体材料含有(Ba、 Sr) MgAl10O17:Eu、 SrMg ( Si02 ) :Eu、 Sr2MgSi207: Eu 、 CaMgSi206: Eu 、 SrMgSb06:Eu之中的至少1种。在一种优选的实施方式中，所述荧光体材料含有(Y、 Gd) B03:Tb， LaP04:Ce、 Tb， BaMg2All4024:Eu、 Mn， BaAl12019:Mn， Zn2Si04:Mn之 中的至少1种。在一种优选的实施方式中，所述荧光体材料含有Y (P、 V) 04:Eu、 Y203:Eu、 (Y、 Gd) 203:Eu、 (Y、 Gd) B03:Eu之中的至少1种。本专利技术的等离子体显示装置是如下这种等离子体显示装置，其具有前 面板和背面板，前面板包括透明基板、和设于透明基板上的多个条状 (Stripe)的显示电极；背面板包括支撑基板；设于所述支撑基板的多个 条状的地址电极；至少位于各地址电极间而设于所述支撑基板的多个隔 壁；以覆盖所述隔壁间的各地址电极的方式配置的荧光体层，按照使所述 地址电极和所述显示电极大致相互正交、在所述隔壁间的空间内密封放电 气体的方式，将所述前面板和背面板对向地配置，所述荧光体层含有上述 任一项中所规定发光显示装置用荧光体粒子。在一种优选的实施方式中，在所述荧光体层中，所述发光显示装置用 荧光体粒子的表面露出。在一种优选的实施方式中，所述放电气体含有15体积％以上的氤气。本专利技术的发光显示装置具有辐射比可见光波长短的电磁波或电子射 线的激发源；配置在所述电磁波或电子射线放射位置的、上述任一项中所 规定的发光显示装置用荧光体粒子。本专利技术的发光显示装置用荧光体粒子的制造方法包括如下工序准备由荧光体材料构成的荧光体粒子的工序；在含有包含A1、 Mg、 Ca、 Ba、 Sr和Y之中至少1个元素的非水溶性有机金属化合物和非水性溶剂的溶 液中浸渍所述荧光体粒子的工序(A);除去所述非水性溶剂，得到有所述 非水溶性有机金属化合物附着在表面的荧光体粒子的工序(B);对在表面 附着有所述非水溶性有机金属化合物的荧光体粒子进行热处理的工序(C)o在一种优选的实施方式中，所述非水溶性有机金属化合物为脂肪酸的 金属盐、乙酰丙酮金属盐、不饱和羧酸金属盐、茂金属化合物、p-二酮之 中的至少1种。在一种优选的实施方式中，所述工序(C)将表面附着有所述非水溶 性有机金属化合物的荧光体粒子在50(TC以上、65(TC以下进行加热。在一种优选的实施方式中，所述荧光体材料含有(Ba、 Sr) MgAl10O17:Eu、 SrMg ( Si02 ) :Eu、 Sr2MgSi207: Eu 、 CaMgSi206: Eu 、 SrMgSi206:Eu之中的至少1种。在一种优选的实施方式中，所述荧光体材料含有(Y、 Gd)本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种由荧光体材料构成的发光显示装置用荧光体粒子，其中， 所述荧光体材料含有在Ａｌ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｂａ、Ｓｒ和Ｙ之中的至少１个元素， 从所述荧光体粒子表面至深度为２０ｎｍ为止的范围内，有所述至少１个元素在深度方向的浓度分布的极大值。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：本多洋介，上野岩，西山诚司，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[]
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