具有高效率和优异寿命的OLED制造技术

ＯＬＥＤ器件包括阴极、阳极并具有在它们之间的发光层，其中该发光层包含（ａ）２－芳基蒽化合物和（ｂ）在最少两个位置具有氨基取代的发光第二蒽化合物，其中至少一个胺在该第二蒽化合物的２位取代。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有高效率和优异寿命的OLED 专利
本专利技术涉及有机电致发光(EL)器件。更具体地说，本专利技术涉及高 效长寿命的发绿光器件。
技术介绍
虽然有机电致发光(EL)器件已被人们知道二十多年的时间了，但 它们的性能局限性阻碍了许多期望的应用。最简单形式的有机EL器件包 括用于空穴注入的阳极、用于电子注入的阴极和夹在这些电极之间以支 持电荷复合而发光的有机介质。这些器件也被普遍称为有机发光二极管 或OLED。早期有机EL器件的代表是1965年3月9日颁发的Gurnee等的美 国专利号3,172,862 ; 1965年3月9日颁发的Gurnee的美国专利号 3,173,050; Dresner,"Double Injection Electroluminescence in Anthracene", RCA Review,Vol.30,pp.322-334,1969;和1973年1月9日颁发的Dresner的 美国专利号3,710,167。这些器件中的通常包含多环芳烃的有机层非常厚 (大大高于lpm)。因此，工作电压非常高，通常〉100V。pm)构成的有机EL元件。在本文中，术语"有机EL元件"包括阳极与阴极 电极之间的层。减小厚度降低有机层的电阻并且使得器件能够在低得多的 电压下工作。在US 4,356,429中首次描述的基本的两层EL器件结构中，与 阳极相邻的EL元件的一个有机层经特别选择用来传输空穴，因此^L称为空 穴传输层，并且另一个有机层经特别选择用来传输电子，称为电子传输层。 在有机EL元件内注入的空穴和电子的复合产生了有效的电致发光。还提出了例如由Tang等披露的三层有机EL器件，该器件含有在空穴传输层与电子传输层 之间的有机发光层(LEL)。另外，在一些优选的器件结构中，LEL由 掺杂的有机膜构造，该有机膜包含有机材料作为主体和低浓度的荧光性 化合物作为掺杂剂。通过选择合适的掺杂剂-主体组合物已经在这些掺杂 的OLED器件中达到了EL效率、色度和寿命的改进。掺杂剂(是主导发 射中心)经选择产生合乎需要的EL颜色。存在绿色掺杂剂的已知实例。发射绿光的香豆素衍生物已经由Chen等在US 6,020,078中，Inoe等在JP 3142378中和Tang等在US 4,769,292中进行了报道。虽然香豆素衍生物已 经显示提供具有高EL效率的OLED器件，但是已经发现缺乏长的器件使 用寿命。发绿光喹吖啶酮衍生物已经由Shi等在US 5,593,788中和Tamano 等在JP 3509383中进行了报道。虽然已经显示喹吖啶酮衍生物提供长的 使用寿命，但是这些衍生物的使用导致较低的器件效率。氨基蒽衍生物已经证明可用于OLED。 Enokida等在US 6251531中和发光材料的;些9,10取代的氨基蒽，然而，这些类型的材料一般显示具 有差的寿命，低的效率或它们在可见光谱的黄绿至黄色区域中发光，意 味着CIE x坐标大于0.30。Ichinosawa等在JP 2003/146951和JP 2004/091334中描述了可用作EL 器件的空穴输送材料的在2,6位有苯二胺基取代的蒽材料，并且提供了它 们在与LEL相邻的层中寸吏用的实例。Toshio等在JP 1995/109449中提供了叔胺基取代的蒽型材料和它们 在没有引入到LEL主体材料中的情况下用作发光材料的实例。众所周知， 具有单一组分的LEL—般具有低效率和短寿命。Hosokawa及其合作者在US 2003/0072966、 US 2005/0038296、 US 6951693中和Ikeda等在JP 2003/313156中也描述了用于OLED器件的某些 叔氨基-蒽化合物。然而，报道的发光效率低并且器件寿命差。然而，尽管有发绿光材料的研究中的这些进展，但是仍需要绿光OLED 器件，它们结合高发光效率与长操作寿命，同时维持优异的色纯度。专利技术概述本专利技术的目的是制造具有高发光效率、优异操作寿命以及优异色纯 度的OLED器件。这些目的由一种OLED器件达到，该OLED器件包括阴极、阳极和在 它们之间的发光层，其中该发光层包含(a) 2-芳基蒽化合物和(b)在 最少两个位置具有氨基取代的发光第二蒽化合物，其中至少 一个胺操作 在2位。本专利技术的有利效果本专利技术的优点是可以获得具有长操作寿命和优异发光效率的OLED器件。本专利技术的另 一个优点是它提供具有优异绿色色纯度的OLED器件。 本专利技术的另一个优点是它提供适合于显示器应用的OLED器件。附图简述图l示出了本专利技术OLED器件的截面图。专利技术详述一般性的器件体系结构本专利技术可用于使用小分子材料、低聚材料、聚合材料或其组合的许 多OLED器件构造中。这些包括非常简单的结构(包括单个阳极和阴极) 到更复杂的器件，例如包括阳极和阴极的正交阵列以形成象素的无源式 矩阵显示器，和其中每一象素例如用薄膜晶体管(TFT)独立控制的有 源矩阵显示器。存在许多其中可以成功实施本专利技术的有机层的构造。OLED的基本 要求是阳极、阴极和位于阳极与阴极之间的有机发光层。正如下文中更 完整描述的那样，可以使用附加层。尤其可用于小分子器件的典型结构示于附图中，并且包括衬底101、 阳才及103、空穴注入层105、空穴传输层107、发光层109、电子传输层110、 电子注入层lll、任选的第二电子注入层112和阴极113。这些层在下面 详细描述。注意4于底可以与阴才及相邻，或4于底可以实际上构成阳才及或阴 极。阳极与阴极之间的有机层适宜地称为有机EL元件。此外，有机层的 总厚度理想地小于500 nm。OLED的阳极和阴极通过导电体160与电压/电流源150相连。通过将使OLED工作。将空穴从阳极注入有机EL元件并且在阴极处将电子注入 有机EL元件。当OLED以AC模式工作时，有时可以实现增强的器件稳定 性，其中在AC循环的一定时间期间，电势偏差反转，并且没有电流流动。 AC驱动的OLED的实例描述于US 5,552,678中。 衬底本专利技术的OLED器件通常提供在支持衬底101上，其中阴极或阳极可21与衬底接触。衬底可以是包括多个材料层的复杂结构。对于其中TFT提 供在OLED层下方的有源矩阵衬底而言，通常是这种情形。仍然需要衬 底至少在发光的象素化区域中由基本上透明的材料组成。与衬底接触的 电极适宜地称为底电极。常规上，该底电极是阳极，但本专利技术并不限于 该构造。衬底可以是光透射的或者不透明的，这取决于想要的光发射方 向。为了通过衬底观察EL发光，光透射性能是所希望的。在这类情形中 普遍使用透明的玻璃或塑料。对于其中通过顶电极观察EL发光的应用而 言，底部支持的透射特性可以是透光的、吸收光的或者反射光的。用于 该情形的衬底包括，但不限于，玻璃、塑料、金属、半导体材料、硅、 陶资和电路板材料。在这些器件构造中必须提供透光顶电极。 阳极本专利技术的OLED器件通常提供在支持衬底上，其中阴极或阳极可与 衬底接触。与衬底接触的电极适宜地称为底电极。常规上，该底电极是 阳极，但本专利技术并不限于该构造。导电性阳才及层103形成在衬底上并且当通过阳相J见察EL发光时，应 该对所考虑的发光透明或者基本上透明。用于本专利技术的常用透明阳极材 料是氧化铟-锡和氧化锡，但本文档来自技高网...

【技术保护点】
ＯＬＥＤ器件，包括阴极、阳极和在它们之间的发光层，其中该发光层包含（ａ）２－芳基蒽化合物和（ｂ）在最少两个位置具有氨基取代的发光第二蒽化合物，其中至少一个胺在该第二蒽化合物的２位取代。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：KP克卢贝克，L廖，VV贾里科夫，DY康达科夫，WJ贝利，ML里克斯，
申请(专利权)人：伊斯曼柯达公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]