作为有机半导体的醌型体系制造技术

一种半导体层，其包含式Ⅰ的非聚合的醌型杂并苯化合物，其中Ｘ代表Ｏ、Ｓ或者ＮＲ，每个Ｒ、Ｒ↓［１］、Ｒ↓［２］、Ｒ↓［３］、Ｒ↓［４］、Ｒ↓［５］、Ｒ↓［６］、Ｒ↓［７］、Ｒ↓［８］独立地选自氢和有机残基，或者其２个或者多个一起形成一个或多个稠合环，该环可以是取代的或者未取代的、碳环的或者杂环的、芳族的、醌型或者脂族的，其可以被用于例如制造二极管、有机场效应晶体管、有机薄膜晶体管、或者包含二极管和／或有机场效应晶体管和／或有机薄膜晶体管的装置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】专利说明作为有机半导体的醌型体系 本申请涉及一种包含醌型杂并苯作为有机半导体的半导体装置、涉及制备所述的装置的方法、涉及在所述的方法中尤其有用的新颖的醌型杂并苯、以及涉及相应的用途。 有机半导体装置，例如有机二极管或者特别有机场效应晶体管(OFET)，相对于传统的无机半导体具有诸多的优势，例如低的制造成本或者与柔性基底的相容性。除了某些聚合物(例如如Chem.Rev.1997，97，173-205中所述的)之外，已经发现许多缩合的芳族化合物例如并五苯、某些缩合的杂芳族化合物或者其加成化合物表现出有用的半导体性能，特别地其特征在于高电荷载体(场效应)迁移率、高的开/关电流比、低阈下电压。但是，这些有利的特征经常被下面的因素抵消如必须使用气相沉积来制备薄膜装置、或者由于如重结晶、相变、温度或者环境影响如氧化条件的影响而缺少稳定性。 为了提高有机半导体的性能，已经将结构改性引入到所提出的缩合芳族化合物或者加成化合物中(参见例如JP-A-2000-231987；WO02/068431；欧洲专利申请No.05104009.5)。 这里需要一种有机半导体，其能够提供稳定的、可复制的电性能特性，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其包含非聚合的化合物作为有机半导体，特征在于所述的化合物是式Ⅰ的醌型二杂并苯　＊＊＊　（Ⅰ）　其中Ｘ代表Ｏ、Ｓ或者ＮＲ，每个Ｒ、Ｒ↓［１］、Ｒ↓［２］、Ｒ↓［３］、Ｒ↓［４］、Ｒ↓［５］、Ｒ↓［６］、Ｒ↓［７］ 、Ｒ↓［８］独立的是有机残基，或者其２个或更多一起形成一个或多个稠合环，该环可以是取代的或者未取代的、碳环的或者杂环的、芳族的、醌型或者脂族的；并且Ｒ↓［１］、Ｒ↓［２］、Ｒ↓［３］、Ｒ↓［４］、Ｒ↓［５］、Ｒ↓［６］、Ｒ↓［７］、Ｒ↓［８］进一步可以是氢。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：U比伦斯，A斯塔森，B施米达尔特，W卡尔布，F比恩瓦尔德，
申请(专利权)人：西巴控股有限公司，
类型：发明
国别省市：CH[瑞士]