氮化物纳米线及其制造方法技术

本发明专利技术涉及氮化物半导体的生长，适用于多种半导体器件，例如二极管、ＬＥＤ和晶体管。根据本发明专利技术的方法，利用基于ＣＶＤ的选择性区域生长技术生长氮化物半导体纳米线。在纳米线生长步骤中存在氮源和金属－有机源，并且在纳米线生长步骤中至少该氮源流速是持续的。本发明专利技术方法利用的该Ⅴ／Ⅲ－比率明显低于与通常氮化物基半导体生长相关的Ⅴ／Ⅲ－比率。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及基于氮化物半导体纳米线的半导体器件及通过生长制造其的方法。氮化物半导体纳米线可被用作例如二极管、LED、 LD和晶体管。本专利技术具 体地涉及制造具有有限的横向生长、竖直的GaN纳米线的方法。
技术介绍
在半导，件中，特别是在光电器件中使用氮化物半导体，在相当长的时 间里受到重要的关注，这不仅是由于其实现部件在传统半导体材料无法达到的 波长区域内起作用的潜在可能性。在1990年，氮化物半导体生长上取得了两项 突破制造高质量的GaN膜和实现p-型GaN。这些之后，蓝和绿LED以及激 光二极管实现商品化，并且开始报道基于A1N的UVLED。对于高电压和高温 度应用的晶体管和其它电子器件，氮化物基半导体也是被关注的。GaN膜通常由工业级MOCVD技术生长。为了实现可接受的膜质量，在如 NH3与TMG (三甲基镓)的高前体流速、以及因此在高分压下，执行该生长。 通常使用的测量称为"V/m比率"，其涉及前体元素的摩尔流，例如丽3与TMG 之间的摩尔比率。该用于GaN膜生长的V/m比率在1000-10000范围内。然而，今天顶级的GaN膜仍具有非常高的缺陷密度。在这样的背景下，1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种利用基于ＣＶＤ的选择区域生长技术来生长氮化物基半导体纳米线的方法，其中在纳米线生长步骤中存在氮源和金属－有机源，该方法特征在于在纳米线生长步骤中，该氮源流速是持续的。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：W塞弗特，D阿索利，毕朝霞，
申请(专利权)人：昆南诺股份有限公司，
类型：发明
国别省市：SE[瑞典]