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本发明涉及氮化物半导体的生长，适用于多种半导体器件，例如二极管、ＬＥＤ和晶体管。根据本发明的方法，利用基于ＣＶＤ的选择性区域生长技术生长氮化物半导体纳米线。在纳米线生长步骤中存在氮源和金属－有机源，并且在纳米线生长步骤中至少该氮源流速是持续...
该专利属于昆南诺股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过昆南诺股份有限公司授权不得商用。

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