制造适于转移到非晶体层的结构的方法以及利用所述方法制造的结构技术

本发明专利技术涉及一种制造适于转移到非晶体层的结构的方法。所述方法包括以下步骤：提供具有晶体取向的衬底；在所述衬底上提供多个细长纳米结构（纳米线），所述纳米结构从衬底延伸，从而使得由每一个纳米结构的细长轴与衬底的表面法线定义的角度小于55度；沉积至少一个材料层，从而使得由所述材料覆盖衬底的至少被暴露出的区段；去除衬底，从而使得沉积层变为最底层；以及暴露出所述多个纳米结构当中的相应纳米结构的至少末端。本发明专利技术还涉及利用所述方法制造的结构。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种制造适于转移到非晶体层的结构（10）的方法，所述方法包括以下步骤：‑提供衬底（2）；‑在所述衬底上提供多个细长纳米结构（4），所述纳米结构从衬底延伸，从而使得由每一个纳米结构的细长轴与衬底的表面法线定义的角度小于55度；‑沉积至少一个材料层（6），从而使得由所述材料覆盖衬底的至少被暴露出的区段；‑去除衬底，从而使得沉积层变为最底层；‑暴露出所述多个纳米结构当中的相应纳米结构的至少末端（8）。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：J奥尔松，L萨米尔松，J特根菲尔德，I埃贝里，D阿索利，
申请(专利权)人：昆南诺股份有限公司，
类型：发明
国别省市：瑞典;SE