本发明专利技术涉及半导体技术领域，特别涉及一种半导体结构的形成方法、半导体结构、器件及电子装置。所述半导体结构的形成方法可以包括：提供一具有第一沟槽的衬底结构；衬底结构包括依次设置的基底层、外延层、第一氧化层、硬掩膜层和第二氧化层；第一沟槽贯穿第一氧化层、硬掩膜层和第二氧化层，且其底部位于外延层；对具有第一沟槽的衬底结构的硬掩膜层分两次回刻，并在对硬掩膜层的两次回刻之间，采用热氧工艺在第一沟槽的表面形成隔离氧化层；后续形成层间介质层于第一沟槽中，得到目标半导体结构。从而不仅能够使得形成的隔离氧化层不会产生膜应力，也能够降低鸟嘴效应以及硬掩膜屋檐对后续所形成的层间介质层的填充质量的影响。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别涉及一种半导体结构的形成方法、半导体结构、器件及电子装置。
技术介绍
1、在半导体器件的成型加工中，通常会涉及沟槽的形成，且在沟槽后，为了隔离前后工艺中各层之间的影响，会先在沟槽的侧壁形成一层氧化层来作为隔离层，隔离层作为半导体器件中的必要成型步骤，其形成的质量会影响后续层的成膜质量，最终影响半导体器件的性能，这使得其成为了相关人员的研究热点。
2、现有技术中，一种方案是采用热氧与沉积工艺结合的方式来在沟槽的侧壁形成复合工艺的氧化层，虽然形成的氧化层不容易存在鸟嘴效应，但形成氧化层的工艺较复杂，也容易存在膜应力。另一种方案是采用直接热氧的方式来在沟槽的侧壁形成氧化层，成型工艺简单，也能改善膜应力，但该种方案容易产生鸟嘴效应以及硬掩膜屋檐，造成后续所形成材料层的质量缺陷(如存在填充空隙)，进而影响器件的性能。因此，如何提供一种既能避免氧化层的膜应力，还能够降低鸟嘴效应和硬掩膜屋檐问题对后续工艺的影响的半导体制造方案成为了亟需解决的技术问题。
技术实现思路
>1、为解决上述技术本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一回刻处理对所述硬掩模层的回刻量小于所述第二回刻处理对所述硬掩模层的回刻量。
3.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在进行所述第一回刻处理后，所述硬掩膜层的第一侧边和所述第一氧化层的第二侧边相对所述第一沟槽的内壁向内凹陷，以暴露所述外延层的顶部的局部区域；所述第一侧边和所述第二侧边分别为所述硬掩膜层、所述第一氧化层靠近所述第一沟槽的内壁的侧边。
4.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述对具有所述隔离氧化层的衬底结构进行第二回刻处理之前...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一回刻处理对所述硬掩模层的回刻量小于所述第二回刻处理对所述硬掩模层的回刻量。
3.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在进行所述第一回刻处理后，所述硬掩膜层的第一侧边和所述第一氧化层的第二侧边相对所述第一沟槽的内壁向内凹陷，以暴露所述外延层的顶部的局部区域；所述第一侧边和所述第二侧边分别为所述硬掩膜层、所述第一氧化层靠近所述第一沟槽的内壁的侧边。
4.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述对具有所述隔离氧化层的衬底结构进行第二回刻处理之前，所述方法还包括：
5.根据权利要求4所述的形成方法，其特征在于，所述第三回刻处理后的第二氧化层的厚度小于所述第一回刻处理后的第二氧化层的厚度。
6.根据权利要求5所述的形成方法，其特征在于，在进行所述第三回刻处理后，所述第二氧化层的厚度大于或者等于第一预设厚度，所述第一预...
【专利技术属性】
技术研发人员：兰总金，陈国帅，李秀柱，
申请(专利权)人：杭州富芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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