【技术实现步骤摘要】
本技术是关于一种半导体器件，特别是一种具有栅极线结构的半导体器件。
技术介绍
1、随着各种电子产品朝小型化发展的趋势，半导体器件的设计也必须符合高积集度及高密度的要求。对于具备凹入式闸极结构的动态随机存取存储器(dynamic randomaccess memory，dram)而言，由于其可以在相同的半导体衬底内获得更长的载子通道长度，以减少电容结构的漏电情形产生，因此在目前主流发展趋势下，其已逐渐取代仅具备平面闸极结构的动态随机存取记忆体。一般来说，具备凹入式闸极结构的动态随机存取存储器是由数目庞大的存储单元(memory cell)聚集形成阵列区，用来存储信息，而每一个存储单元可由晶体管组件与电容器组件串联组成，以接收来自字线(word line，wl)及位线(bitline，bl)的电压信息。因应产品需求，所述阵列区中的存储单元密度须持续提升，造成相关制作工艺与设计上的困难度与复杂度不断增加。因此，现有技术或结构还待进一步改良以有效提升相关存储器件的效能及可靠度。
技术实现思路
1、...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述焊盘间隔的最底面高于所述栅极线结构的最顶面。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，还包括：
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述焊盘间隔的所述最底面还高于所述栅极线盖层的最底面。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：
6.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述焊盘间隔的所述最底面低于所述焊盘的最底面。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述焊盘间隔的最底面高于所述栅极线结构的最顶面。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，还包括：
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述焊盘间隔的所述最底面还高于所述栅极线盖层的最底面。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：
6.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述焊盘间隔的所述最底面低于所述焊盘的最底面。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述金属硅化物层的最底面高于所述栅极线结构的最顶面。
8.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，还包括：
9.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述插塞结构的最顶面高于所述栅极线结构的最顶面。
10.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述焊盘的最底面高于所述栅极线结构的最顶面。
11.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述焊盘间隔还物理性接触所述第一间隙壁结构的所述最顶点。
...【专利技术属性】
技术研发人员：冯立伟，
申请(专利权)人：福建省晋华集成电路有限公司，
类型：新型
国别省市：
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