一种高效FAPbI3钙钛矿薄膜及其制备方法与应用技术

本发明专利技术公开一种高效FAPbI<subgt;3</subgt;钙钛矿薄膜及其制备方法与应用，包括以下步骤：S1.将碘化铅和碘甲眯溶解于溶剂中，得到钙钛矿前驱体溶液；S2.低温条件下，在钙钛矿前驱体溶液中加入氧化石墨烯‑聚丙稀酸溶液，搅拌均匀，得到离子重组钙钛矿前驱体溶液；S3.将离子重组钙钛矿前驱体溶液旋涂于具有电子传输层的导电基板表面，退火，得到活性薄膜；S4.在活性薄膜表面依次制备界面修饰层、空穴传输层、金属插层、金属电极层，即得高效FAPbI<subgt;3</subgt;钙钛矿薄膜；可减小钙钛矿薄膜缺陷的方法来提高FAPbI<subgt;3</subgt;钙钛矿太阳能电池的光电性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光电，尤其涉及一种高效fapbi3钙钛矿薄膜及其制备方法与应用。

技术介绍

1、钙钛矿材料具有独特而优异的光伏性能，包括高缺陷容限、可调带隙和长激子扩散长度。钙钛矿材料用于制备太阳能电池以来，其功率转换效率(pce)不断取得突破。钙钛矿太阳能电池(psc)的最高pce已达到25.7％。与传统的硅基太阳能电池相比，新型钙钛矿太阳能电池易于制备，成本更低。由于这些优点，钙钛矿太阳能电池正变得越来越突出。这些优势使钙钛矿太阳能电池成为新一代太阳能电池的流行材料。

2、高的钙钛矿效率主要得益于甲脒基钙钛矿，其具有较宽的吸收波长，优异的热稳定性，因此在钙钛矿太阳电池研究领域引起广泛的关注。传统方法制备的fapbi3薄膜的结晶性及制备出来的器件光伏性能和稳定性还有一定的进步空间，其原因在于，制备出来的钙钛矿薄膜表面仍然凹凸不平，粗糙度比较大，结晶性不够好，不利于后续功能层沉积，薄膜中的高缺陷密度是载流子输运的捕获位点，容易通过非辐射复合造成能量损失，导致器件的光伏性能不够优异，能量转换效率低。

3、因此，需要开发一种减小钙钛矿薄膜本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高效FAPbI3钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的高效FAPbI3钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，步骤S2中，钙钛矿前驱体与氧化石墨烯-聚丙酸的用量比为1.5mmol：5μg，加入氧化石墨烯-聚丙稀酸溶液的温度低于4℃。

3.根据权利要求1所述的高效FAPbI3钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，步骤S1中，碘化铅和碘甲眯的摩尔比为1：1-2，溶剂为DMF和DMSO的混合物。

4.根据权利要求1所述的高效FAPbI3钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，步骤S3包括，将所述离子重组钙钛矿前驱体溶液分次旋涂于所...

【技术特征摘要】

1.一种高效fapbi3钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的高效fapbi3钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，步骤s2中，钙钛矿前驱体与氧化石墨烯-聚丙酸的用量比为1.5mmol：5μg，加入氧化石墨烯-聚丙稀酸溶液的温度低于4℃。

3.根据权利要求1所述的高效fapbi3钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，步骤s1中，碘化铅和碘甲眯的摩尔比为1：1-2，溶剂为dmf和dmso的混合物。

4.根据权利要求1所述的高效fapbi3钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，步骤s3包括，将所述离子重组钙钛矿前驱体溶液分次旋涂于所述具有电子传输层的导电基板表面，滴加乙醚后，于100-140℃退火15-20min，所述电子传输层的背景材料为sno2，所述导电基板的背景材料为fto或ito。

5.根据权利要求1所述的高效fapbi3钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，步骤s4中，制备界面修饰层的步骤为，将辛基碘化胺旋...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈永华，张辉，杨金贤，黄维，
申请(专利权)人：南京工业大学，
类型：发明
国别省市：