太阳能电池制造技术

一种太阳能电池，包括硅衬底、位于所述硅衬底背面的PN结和背面电极；所述硅衬底的正面具有栅线区和非栅线区，所述太阳能电池还包括仅位于所述栅线区的正面隧穿层、正面掺杂多晶硅层、正面电极。本技术的太阳能电池，通过在正面的栅线区设置正面隧穿层、正面掺杂多晶硅层构成图案化的正面钝化接触结构，避免正面电极与硅衬底直接接触，降低正面金属下复合，从而提升电池效率，提升产品竞争力。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及光伏领域，尤其涉及一种太阳能电池。

技术介绍

1、topcon（tunnel oxide passivated contact，隧穿氧化层钝化接触）太阳能电池，主要是对电池背面的优化，采用隧穿层和掺杂多晶硅层形成钝化接触结构，实现场钝化效果，降低接触电阻，提升电池的开路电压和短路电流，从而提升电池转化效率。

2、然而，电池的正面也存在金属下复合的问题，制约电池的效率。

3、有鉴于此，有必要提供一种改进的太阳能电池，以解决上述技术问题。

技术实现思路

1、本技术提供一种太阳能电池，有助于改善电池正面栅线区的钝化效果，进而提高电池效率。

2、为实现上述技术目的之一，本技术采用如下技术方案：

3、一种太阳能电池，包括硅衬底、位于所述硅衬底背面的pn结和背面电极；所述硅衬底的正面具有栅线区和非栅线区，所述太阳能电池还包括仅位于所述栅线区的正面隧穿层、正面掺杂多晶硅层、正面电极。

4、可选地，所述硅衬底为n型硅片，所述正面掺杂多晶硅层为n型掺杂多晶硅本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种太阳能电池，包括硅衬底、位于所述硅衬底背面的PN结和背面电极；其特征在于，所述硅衬底的正面具有栅线区和非栅线区，所述太阳能电池还包括仅位于所述栅线区的正面隧穿层、正面掺杂多晶硅层、正面电极。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：所述硅衬底为N型硅片，所述正面掺杂多晶硅层为N型掺杂多晶硅层。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：所述正面隧穿层为氧化硅层或氮氧化硅层，和/或所述正面隧穿层的厚度为1nm~3nm。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：所述正面掺杂多晶硅层的厚度为1nm~120nm。

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【技术特征摘要】

1.一种太阳能电池，包括硅衬底、位于所述硅衬底背面的pn结和背面电极；其特征在于，所述硅衬底的正面具有栅线区和非栅线区，所述太阳能电池还包括仅位于所述栅线区的正面隧穿层、正面掺杂多晶硅层、正面电极。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：所述硅衬底为n型硅片，所述正面掺杂多晶硅层为n型掺杂多晶硅层。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：所述正面隧穿层为氧化硅层或氮氧化硅层，和/或所述正面隧穿层的厚度为1nm~3nm。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：所述正面掺杂多晶硅层的厚度为1nm~120nm。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：所述太阳能电池还包括位于所述正面掺杂多晶硅层正面的正面钝化层、正面减反层，所述正面电极穿过所述正面减反层、所述正面...

【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，高秋月，孙从文，陈博，陈海燕，叶晓亚，邓伟伟，
申请(专利权)人：扬州阿特斯太阳能电池有限公司，
类型：新型
国别省市：