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本技术公开了一种半导体器件，包括衬底、多个插塞结构与多个栅极线结构、金属硅化物层、多个焊盘以及多个焊盘间隔。插塞结构与栅极线结构交替地设置在衬底上。金属硅化物层设置在插塞结构上并物理性接触插塞结构。焊盘设置在金属硅化物层上并物理性接触金属硅...
该专利属于福建省晋华集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过福建省晋华集成电路有限公司授权不得商用。

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