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本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种半导体结构的形成方法、半导体结构、器件及电子装置。所述半导体结构的形成方法可以包括：提供一具有第一沟槽的衬底结构；衬底结构包括依次设置的基底层、外延层、第一氧化层、硬掩膜层和第二氧化层；第一沟槽贯穿第一...
该专利属于杭州富芯半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州富芯半导体有限公司授权不得商用。

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