【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
1、许多半导体设备制造处理涉及钼之类的金属的沉积以形成导电膜。在沉积处理期间，前体分解所产生的污染物、前体杂质或前体副产品会堵塞将前体输送至沉积室的管道或管线。由于堵塞，管线中的气体流动会受阻或完全堵塞。为了清除污染物，必须停止沉积，并拆卸装置，以便定期更换和/或移除管线进行清扫。这种传统的污染物清除方法效率低下，因为它们会中断沉积处理的连续操作。因此，有必要采用原位(in situ)技术，以在沉积处理期间从输送管清除和/或防止不良污染物，而不需要停机进行效率低下的维护，以去除钼氧卤化物前体污染物。
2、这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开内容的背景的目的。在此
技术介绍
部分中描述的范围内的当前指定的专利技术人的工作以及在提交申请时不能确定为现有技术的说明书的各方面既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。
技术实现思路
1、本专利技术提供了通过原位清洁前体输送管线来提高钼金属的原子层沉积效率的方法。可通过使用表面钝化剂预处理输送管线和/或通过定期使用腐蚀抑制剂...
【技术保护点】
1.一种用于沉积钼金属的方法，其包含：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少一种腐蚀抑制剂包含化学蚀刻剂。
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述化学蚀刻剂包含卤化钨或卤化钼。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少一种腐蚀抑制剂包含氯、氧、氟、氯化氢、氟化氢、三氟化氯、三氟化氮或其组合。
5.根据权利要求4所述的方法，其中所述至少一种腐蚀抑制剂包含氧和氯。
6.根据权利要求5所述的方法，其中所述氧和氯依次或同时供应至所述前体输送管线。
7.根据权利要求4所述的方法，其中所述至少一种腐蚀...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种用于沉积钼金属的方法，其包含：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少一种腐蚀抑制剂包含化学蚀刻剂。
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述化学蚀刻剂包含卤化钨或卤化钼。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少一种腐蚀抑制剂包含氯、氧、氟、氯化氢、氟化氢、三氟化氯、三氟化氮或其组合。
5.根据权利要求4所述的方法，其中所述至少一种腐蚀抑制剂包含氧和氯。
6.根据权利要求5所述的方法，其中所述氧和氯依次或同时供应至所述前体输送管线。
7.根据权利要求4所述的方法，其中所述至少一种腐蚀抑制剂包含氧和氟。
8.根据权利要求7所述的方法，其中所述氧和氟依次或同时供应至所述前体输送管线。
9.根据权利要求1所述的方法，其中所述钼氧卤化物前体为moqonym，其中y为卤素；n为1或2；q为1、2或4；且m为1、2或11。
10.根据权利要求9所述的方法，其中所述钼氧卤化物前体包含moof4、mo4o11i、moo2i、moo2br2、moo2cl2、moocl4或其组合和/或所述至少一种反应物包含氢、氨、乙硼烷、水、硫化氢、硫醇、醇、胺、联氨、硅烷、乙硅烷或其组合。
11.根据权利要求1所述的方法，其中所述腐蚀抑制剂为六氟化钨(wf6)、五氯化钼(mocl5)和水(h2o)中的一者。
12.一种用于沉积钼金属的方法，其包含：
13.根据权利要求12所述的方法，其中所述一或更多个钼氧卤化物前体输送管线包含不锈钢或镍合金。
14.根据权利要求12所述的方法，其中所述钼氧卤化物前体为moqonym，其中y为卤素；n为1或2；q为1、2或4；且m为1、2或11。
15.根据权利要求14所述的方法，其中所述钼氧卤化物前体包含moof4、mo4o11i、moo2i、moo2br2、moo2cl2、moocl4或其组合。
16.根据权利要求12所述的方法，其中所述至少一种反应物包含氢、氨、乙硼烷、水、硫化氢、硫醇、醇、胺、联氨、硅烷、乙硅烷或其组合。
<...【专利技术属性】
技术研发人员：班亚·翁森纳库姆，约瑟亚·科林斯，桑杰·戈皮纳特，凯文·马德里加尔，威廉·拉弗蒂，马修·伯特伦·爱德华·格里菲思，大卫·约瑟夫·曼迪亚，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：
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