氯硅烷汽化混合工艺及装置制造方法及图纸

技术编号:4366479 阅读:214 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术公开了一种能够提高氯硅烷汽化过程中氢气与氯硅烷比例控制精度的氯硅烷汽化混合工艺及装置。所述氯硅烷汽化混合装置包括换热器,氯硅烷输送管、氢气输送管与该换热器的管程/壳程连通,氯硅烷输送管、氢气输送管上均各设置有流量计和流量调节阀,相应地,该换热器的壳程/管程与热供应系统连通。所述换热器内对应于氯硅烷输送管与换热器连接口位置处设置有与所述连接口保持了间隙的分流器。所述氯硅烷汽化混合工艺通过将氯硅烷和氢气先分别计量再于换热器内混合汽化,实现了对氯硅烷与氢气混合气的完全汽化和氯硅烷与氢气比例的精确控制,有利于避免原料浪费及提高和稳定多晶硅产品质量,并有利于实现自动化控制。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种多晶硅生产中应用的氯硅烷与氢气混合工艺及装置。
技术介绍
在多晶硅生产中,生产多晶硅的基本原料为精馏提纯的氯硅烷和氢气,氯硅烷和 氢气在进入还原炉前需将按一定比例将气相的氯硅烷与氢气混合,这一过程称为氯硅烷汽 化。 在传统的多晶硅生产工艺中,氯硅烷汽化是在鼓泡器和分离器中进行的,其混合过程为在鼓泡器中存有一定液位的氯硅烷,往鼓泡器中通入氢气,使氢气对氯硅烷进行鼓泡并汽化混合,通过分离器将气体中的液态氯硅烷分离掉,然后再由出口管道将汽化并混合好的气相混合物送入还原炉中。在氯硅烷汽化的过程中,通过控制鼓泡器内的氯硅烷的温度及鼓泡器内的压力来控制气相混合物中氢气与氯硅烷的比例,通过控制气相混合物的流量来控制还原炉的进料量。这种传统的汽化装置存在如下缺点 1、氢气与氯硅烷的比例控制存在很大误差,误差大后对多晶硅的生产质量有很大 影响; 2、通过氢气在鼓泡器中对氯硅烷进行鼓泡存在氯硅烷不能完全汽化的缺点; 3、对气相混合物的流量测量不准确,流量偏低将降低多晶硅棒的生长速度,流量 偏高则浪费原料。 列管式蒸发器等换热器广泛应用于化工产业,其中列管式换热器为了达到均匀换 热的本文档来自技高网...

【技术保护点】
氯硅烷汽化混合装置,包括换热器(8),其特征是:氯硅烷输送管(11)、氢气输送管(12)分别通过第一连接口(1)及第二连接口(2)与该换热器(8)的管程/壳程连通,氯硅烷输送管(11)、氢气输送管(12)上均各设置有流量计(9)和流量调节阀(10),相应地,该换热器(8)的壳程/管程与热供应系统连通。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:唐前正张新赵新征卢涛彭卡李品贤
申请(专利权)人:乐山乐电天威硅业科技有限责任公司
类型:发明
国别省市:51[中国|四川]

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