电子级多晶硅生产中提纯三氯氢硅气相直进还原系统及工艺技术方案

本发明专利技术涉及电子级多晶硅生产中提纯三氯氢硅气相直进还原系统及工艺，气相高纯三氯氢硅从提纯产品塔（２）塔釜通过气相采出设备（５），依次经过液体导流部件（１２）、一级除雾器（１１）和二级除雾器（９）除去气相中夹带的液相三氯氢硅，直接采出高纯气相三氯氢硅，通过气体输送系统（８）进入还原系统（７）生产多晶硅，在高纯三氯氢硅气体输送系统（８）设有温度控制系统（６），使气相三氯氢硅温度可控。本发明专利技术可有效去除气相中夹带的液相三氯氢硅。在伴热系统管内设有静态混合器组件，可避免气体受热不均现象，气体输送管道通过温度控制系统控制管道内气体的过热度。本发明专利技术可使系统能耗降低３０％，获得电子级多晶硅产品。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及多晶硅生产
，特别是涉及多晶硅生产系统中三氯氢硅提纯系 统与三氯氢硅还原系统高效耦合的操作方法及设备。
技术介绍
多晶硅是制造集成电路衬底、太阳能电池等产品的主要原料。多晶硅可以用于制 备单晶硅，其深加工产品被广泛用于半导体工业中，作为人工智能、自动控制、信息处理、光 电转换等器件的基础材料。目前，我国大多数企业的多晶硅生产工艺为改良西门子法，其流程如下用氯和氢 合成氯化氢(或外购氯化氢)，氯化氢和工业硅粉在一定的温度下合成三氯氢硅，然后对三 氯氢硅进行精馏分离提纯，提纯后冷凝的液相三氯氢硅在经过加热汽化进入氢还原炉内进 行CVD反应生产高纯多晶硅。其还原炉尾气进行干法回收，回收后的氯硅烷再次进行精馏 分离提纯得到三氯氢硅，其副产物四氯化硅进入氢化炉反应生成三氯氢硅，从而实现闭路 循环。国内外现有的多晶硅厂绝大部分采用此法生产电子级与太阳能级多晶硅。专利200910068556 (多晶硅生产过程中的三氯氢硅分离提纯系统及操作方法)在 精馏提纯方法做了很大改进，使得提纯单元产品三氯氢硅B、P杂质大大降低，可实现电子 级多晶硅产品。不过现有工艺均将三氯氢硅精馏提纯单本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种精馏提纯三氯氢硅产品气相直接进还原系统，包括提纯产品塔（２）、三氯氢硅气相采出设备（５）、温度控制系统（６）和还原系统（７）；其特征是在提纯产品塔（２）和还原系统（７）之间设置有三氯氢硅气相采出设备（５）和温度控制系统（６）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：黄国强，王红星，华超，郑艳梅，
申请(专利权)人：天津大学，
类型：发明
国别省市：12[中国|天津]