【技术实现步骤摘要】
技术介绍
1、本公开涉及存储装置及用于形成存储装置的方法。
2、通过改进工艺技术、电路设计、编程算法和制造工艺，将平面存储单元缩小到更小的尺寸。然而，随着存储单元的特征尺寸接近下限，平面工艺和制造技术变得具有挑战性且成本高。结果，平面存储单元的存储密度接近上限。
3、三维(3d)存储架构可以解决平面存储单元中的密度限制。3d存储架构包括存储阵列和用于促进存储阵列的操作的外围电路。
技术实现思路
1、在一个方面，公开了一种存储装置。存储装置包括在衬底之上的堆叠结构、在堆叠结构中延伸的沟道结构、以及在沟道结构之上的电介质层。电介质层包括第一材料。存储装置还可以包括延伸穿过电介质层的dsg切口结构。dsg切口结构包括不同于第一材料的第二材料。
2、在另一方面，公开了一种存储系统。存储系统包括被配置为存储数据的存储装置。存储装置包括在衬底之上的堆叠结构、在堆叠结构中延伸的沟道结构、在沟道结构之上的电介质层、以及延伸穿过电介质层的dsg切口结构，其中电介质层具有...
【技术保护点】
1.一种存储装置，包括：
2.根据权利要求1所述的存储装置，其中，触点与所述DSG切口结构的所述第二材料接触。
3.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述DSG切口结构与所述沟道结构和所述多个导电层中的DSG接触。
4.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述第一材料相对于所述第二材料的蚀刻选择性大于1。
5.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述第一材料和所述第二材料均包括相应的电介质材料。
6.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述第一材料包括氧化硅和氮化硅的其中之一，并且所述第二材料包括氧化硅和氮
【技术特征摘要】
1.一种存储装置，包括：
2.根据权利要求1所述的存储装置，其中，触点与所述dsg切口结构的所述第二材料接触。
3.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述dsg切口结构与所述沟道结构和所述多个导电层中的dsg接触。
4.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述第一材料相对于所述第二材料的蚀刻选择性大于1。
5.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述第一材料和所述第二材料均包括相应的电介质材料。
6.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述第一材料包括氧化硅和氮化硅的其中之一，并且所述第二材料包括氧化硅和氮化硅的另外一个。
7.根据权利要求1所述的存储装置，还包括在横向方向上延伸的缝隙结构和位于相邻两个所述缝隙结构之间的存储块，其中，位于相邻两个所述缝隙结构之间的dsg切口结构的数量大于等于三个。
8.根据权利要求7所述的存储装置，其中，所述存储块包括位于相邻两个所述缝隙结构之间的多个沟道结构中的多个存储单元，其中：
9.根据权利要求8所述的存储装置，其中，每个所述串包括四行沟道结构。
10.根据权利要求8所述的存储装置，其中，所述存储块包括四串，所述四串中的每串包括在所述横向方向上延伸的四行沟道结构。
11.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述dsg切口结构在沿所述垂直方向上穿过所述沟道结构的一部分。
12.根据权利要求11所述的存储装置，其中，沟道结构包括在径向上依次排布的半导体沟道、隧穿层、存储层和阻挡层，所述沟道结构还包括沟道插塞，所述沟道插塞位于所述半导体沟道和所述触点之间，所述dsg切口结构与所述半导体沟道、所述隧穿层、所述存储层、所述阻挡层和所述沟道插塞接触。
13.一种存储装置，包括：
14.根据权利要求13所述的存储装置，其中，所述dsg切口结构与电介质层均包括第一材料。
15.根据权利要求14所述的存储装置，其中，所述第一材料包括氧化硅。
16.根据权利要求13所述的存储装置，还包括在横向方向上延伸的缝隙结构和位于相邻两个所述缝隙结构之间的存储块，其中，位于相邻两个所述缝隙结构之间的dsg切口结构的数量大于等于三个。
17.根据权利要求16所述的存储装置，其中，所述存储块包括位于相邻两...
【专利技术属性】
技术研发人员：王迪，顾妍，夏志良，周文犀，霍宗亮，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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