一种剥离制备准二维钙钛矿薄膜的方法及其应用技术

本发明专利技术公开了一种剥离制备准二维钙钛矿薄膜的方法及其应用，包括以下步骤：A1.在衬底表面旋涂钙钛矿前驱体得到涂覆有薄膜的衬底；A2.将胶带贴合在涂覆有薄膜的衬底上、退火后剥离胶带。本发明专利技术提出一种准二维钙钛矿薄膜的制备方法，有效清除了表面缺陷层，更促进了准二维钙钛矿晶体的再结晶过程，显著降低了电荷陷阱密度，强化了电荷传输效率，进而大幅提升了剥离后准二维钙钛矿薄膜的光致发光量子产率(PLQY)。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于微电子器件，具体涉及一种剥离制备准二维钙钛矿薄膜的方法及其应用。

技术介绍

1、准二维钙钛矿作为一种结合了二维材料和钙钛矿材料特性的新型光电材料，具有独特的特点和显著的优势，包括高的荧光量子产率(plqy)，易于调整的带隙，窄的发射峰，良好的材料稳定性，制备低成本和材料来源易于获得等，吸引了广泛研究人员的关注。

2、准二维钙钛矿材料通用化学为(rnh3)2an-1bnx3n+1，其中r是代表有机长链分子或官能团，如苯乙基胺(c6h5-ch2ch2-nh3+，简称pea+)和丁基胺(c4h9-nh3+，简称ba+)等。这些有机阳离子在钙钛矿结构中起到间隔层的作用，形成层状结构。nh3是与r结合，形成有机铵阳离子，也称有机配体材料，这些阳离子在钙钛矿晶格中起到平衡电荷和稳定结构的作用。a是代表短链有机阳离子，如甲胺(ma)或乙胺(fa)等。这些短链阳离子通常与无机层中的阴离子相互作用，影响钙钛矿的光电性能。b：代表二价金属阳离子，如铅(pb)或锡(sn)等。这些金属阳离子与卤素阴离子形成八面体结构，是钙钛矿光电性能的主要贡献者。x代表本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种剥离制备准二维钙钛矿薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的剥离制备准二维钙钛矿薄膜的方法，其特征在于，步骤A1中，所述衬底为经过前处理的衬底；

3.根据权利要求2所述的剥离制备准二维钙钛矿薄膜的方法，其特征在于，所述烘干的温度为100℃～200℃。

4.根据权利要求2所述的剥离制备准二维钙钛矿薄膜的方法，其特征在于，所述表面处理的步骤包括：将衬底进行等离子清洗5min～30min。

5.根据权利要求1所述的剥离制备准二维钙钛矿薄膜的方法，其特征在于，所述旋涂的转速为3000～5000rpm，旋涂的时间为30...

【技术特征摘要】

1.一种剥离制备准二维钙钛矿薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的剥离制备准二维钙钛矿薄膜的方法，其特征在于，步骤a1中，所述衬底为经过前处理的衬底；

3.根据权利要求2所述的剥离制备准二维钙钛矿薄膜的方法，其特征在于，所述烘干的温度为100℃～200℃。

4.根据权利要求2所述的剥离制备准二维钙钛矿薄膜的方法，其特征在于，所述表面处理的步骤包括：将衬底进行等离子清洗5min～30min。

5.根据权利要求1所述的剥离制备准二维钙钛矿薄膜的方法，其特征在于，所述旋涂的转速为3000～5000rpm，旋涂的时间为30～200s。

6.根据权利要求1所述的剥离制备准二维钙钛矿薄膜的方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：孟凡源，袁国强，钟光传，李伯洋，陈钊，冯其，
申请(专利权)人：五邑大学，
类型：发明
国别省市：