温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种存储装置包括在衬底之上的堆叠结构、在堆叠结构中延伸的沟道结构、以及在沟道结构之上的电介质层。电介质层包括第一材料。存储装置还可以包括延伸穿过电介质层的漏极选择栅(DSG)切口结构。DSG切口结构包括不同于第一材料的第二材料。...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。