使用微波源的功率输送制造技术

在一实施例中，本公开涉及一种用于控制输送到分布式电极的微波功率以改善分布式电极上电场的均匀性的系统。该系统包括RF源电路，该RF源电路包括至少一个RF发生器和多个RF源电路输出，每个RF源电路输出输出具有至少300MHz频率的RF源信号。对于每个RF源电路输出，固态阻抗匹配电路可操作地耦合到RF源电路输出，并配置成接收由RF源电路输出输出的RF源信号。对于每个匹配电路，系统输出可操作地耦合到匹配电路，并配置成将RF源信号输出到负载的分布式电极。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及使用微波源的功率输送。

技术介绍

1、在半导体制造系统中，减少膜沉积或蚀刻时间的一种方法是使用更高密度等离子体(hdp)。产生hdp的一种方法是提高rf源的频率。然而，随着rf源的频率增加，其波长减小，并且变得与等离子体室中的尺寸相当。微波hdp源，例如工作在2.45ghz的微波源，在真空中可以具有约120mm的波长，在等离子体中可以具有更短的波长(20-70mm)。在这个波长上，电场可能非常不均匀。对于300mm的晶片，电极上且因此等离子体中的电场变化也可能非常不均匀。需要使该电场更加均匀，从而在晶片表面上提供更好的沉积膜或蚀刻均匀性。

技术实现思路

1、在一方面，本公开涉及一种系统，该系统包括射频(rf)源电路，该射频源电路包括至少一个rf发生器和多个rf源电路输出，每个rf源电路输出输出具有至少300mhz频率的rf源信号；固态阻抗匹配电路，其对于每个rf源电路输出可操作地耦合到rf源电路输出并配置成：接收由rf源电路输出输出的rf源信号；并且电子地改变其阻抗，以实现rf源电路输出和负载之本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于向分布式电极供电的系统，该系统包括：

2.根据权利要求1所述的系统，其中，所述RF源电路包括至少两个RF发生器，并且其中每个RF源信号由单独的一个RF发生器产生。

3.根据权利要求1所述的系统，其中，所述RF源电路包括：分离器，其接收来自所述至少一个RF发生器中的一个的信号，并将该信号分离成提供给多个相位调节器电路的多个信号。

4.根据权利要求1所述的系统：

5.根据权利要求1所述的系统，其中，每个发生器包括配置成放大所接收的RF信号的放大器，并且其中，每个放大器由公共控制电路控制。

6.根据权利要求1所述的系统，其...

【技术特征摘要】

1.一种用于向分布式电极供电的系统，该系统包括：

2.根据权利要求1所述的系统，其中，所述rf源电路包括至少两个rf发生器，并且其中每个rf源信号由单独的一个rf发生器产生。

3.根据权利要求1所述的系统，其中，所述rf源电路包括：分离器，其接收来自所述至少一个rf发生器中的一个的信号，并将该信号分离成提供给多个相位调节器电路的多个信号。

4.根据权利要求1所述的系统：

5.根据权利要求1所述的系统，其中，每个发生器包括配置成放大所接收的rf信号的放大器，并且其中，每个放大器由公共控制电路控制。

6.根据权利要求1所述的系统，其中，所述rf源电路还包括频率源和相位调节器电路，频率源配置成向相位调节器电路传输信号，相位调节器电路配置成向所述至少一个rf发生器中的每个输出单独的rf信号，每个单独的rf信号具有不同的相位；其中，相位调节器电路位于至少一个rf发生器的上游，并且其中，相位调节器电路配置成锁相每个rf源信号的相位。

7.根据权利要求6所述的系统，其中，所述相位调节器电路配置成根据从以下中的任一个获得的相位相关信息来调节每个rf源信号的相位：

8.根据权利要求1所述的系统，其中，每个阻抗匹配电路包括至少一个电子可变电抗元件(evre)，所述evre配置成电子地改变其电抗以实现阻抗匹配。

9.根据权利要求8所述的系统，其中，对于每个阻抗匹配电路，所述至少一个evre是至少一个电子可变电容器(evc)，包括：

【专利技术属性】
技术研发人员：I·布塔，
申请(专利权)人：ASMIP私人控股有限公司，
类型：发明
国别省市：