【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体器件和/或用于制造该半导体器件的方法，并且更具体地，涉及使用二维半导体材料作为沟道的半导体器件和/或用于制造该半导体器件的方法。
技术介绍
1、作为用于增加集成电路器件的密度的缩放技术之一，已经提出了多栅极晶体管，其中，在衬底上形成鳍形或纳米线形硅体，并且在硅体表面上形成栅极。
2、由于这种多栅极晶体管使用三维沟道，因此易于执行缩放。另外，即使不增加多栅极晶体管的栅极长度，也可以提高电流控制能力。此外，可以有效地抑制沟道区的电势受漏极电压影响的短沟道效应(sce)。
3、同时，作为通过改善迁移率和短沟道效应(sce)来提高半导体器件的性能的方法，正在研究使用二维半导体材料作为沟道的半导体器件。
技术实现思路
1、本公开的一些示例实施例提供了具有改进的性能的半导体器件。
2、本公开的一些示例实施例提供了用于制造具有改进的性能的半导体器件的方法。
3、然而，本公开的示例性实施例不限于本文所阐述的那些。通过参照下面给出的本公开的详细...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一过渡金属二硫属化物和所述第二过渡金属二硫属化物包括相同的过渡金属元素。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一有源图案包括顺序堆叠在所述第一区域上、彼此间隔开并且分别沿所述第一方向延伸的多个桥图案。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，还包括：
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述第一过渡金属二硫属化物包括所述过渡金属元素。
6.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述第二2D沟道层不沿所述多个桥图案之中的最...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一过渡金属二硫属化物和所述第二过渡金属二硫属化物包括相同的过渡金属元素。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一有源图案包括顺序堆叠在所述第一区域上、彼此间隔开并且分别沿所述第一方向延伸的多个桥图案。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，还包括：
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述第一过渡金属二硫属化物包括所述过渡金属元素。
6.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述第二2d沟道层不沿所述多个桥图案之中的最上面的桥图案的上表面延伸。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一2d沟道层的厚度和所述第二2d沟道层的厚度彼此不同。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述壁结构进一步将所述第一栅极结构和所述第二栅极结构彼此分隔开。
9.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所...
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