磁控式溅镀靶及磁控式溅镀系统技术方案

本发明专利技术涉及一种磁控式溅镀靶，其包括磁控装置和设置于磁控装置的磁场内的靶材，其特征在于，所述磁控装置包括金属板、多个第一磁铁和多个第二磁铁，第一磁铁和第二磁铁的磁力线方向相反，所述多个第一磁铁和多个第二磁铁呈多行多列排布地嵌设于金属板中，且每一行中至少一个第一磁铁与一个第二磁铁相邻，每一列中也至少有一个第一磁铁与第二磁铁相邻，从而磁控装置的磁场内具有沿着所述行的方向延伸的磁力线和沿着所述列的方向延伸的磁力线。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及镀膜领域，尤其涉及一种用于溅镀磁控式溅镀靶及一种磁控式溅镀系 统。
技术介绍
溅镀(Sputter)是指在阴极(通常为靶材)与阳极(通常为安装待镀基片的基片 安装座或镀膜腔体壁)之间加一个正交磁场和电场，在真空镀膜腔体中充入所需要的惰性 气体(通常为氩气)，在电场的作用下，氩气电离成氩离子(带正电荷)和电子，氩离子在电 场的作用下加速轰击靶材，溅射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子(或分子)沉积在待镀 基片上成膜。同时，氩离子在轰击靶材时放出二次电子，二次电子在加速飞向基片的过程中 受到磁场洛仑磁力的影响，被束缚在靠近靶材表面的等离子体区域内，该区域内等离子体 密度很高。在电磁场的共同作用下，二次电子的运动轨迹为沿电场方向加速，同时绕磁场方 向螺旋前进的复杂曲线，使得该二次电子的运动路径变长，在运动过程中不断与氩原子发 生碰撞电离出大量的氩离子轰击靶材，经过多次碰撞后电子的能量逐渐降低，摆脱磁力线 的束缚，远离靶材，最终以极低的能量飞向待镀基片，使得待镀基片的升温较低。磁控溅射利用磁场束缚以延长二次电子的运动路径，改变二次电子的运动方向， 提高惰性气体的电离率和有效利用本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁控式溅镀靶，其包括磁控装置和设置于磁控装置的磁场内的靶材，其特征在于，所述磁控装置包括金属板、多个第一磁铁和多个第二磁铁，第一磁铁和第二磁铁的磁力线方向相反，所述多个第一磁铁和多个第二磁铁呈多行多列排布地嵌设于金属板中，且每一行中至少一个第一磁铁与一个第二磁铁相邻，每一列中也至少有一个第一磁铁与第二磁铁相邻，从而磁控装置的磁场内具有沿着所述行的方向延伸的磁力线和沿着所述列的方向延伸的磁力线。

【技术特征摘要】
一种磁控式溅镀靶，其包括磁控装置和设置于磁控装置的磁场内的靶材，其特征在于，所述磁控装置包括金属板、多个第一磁铁和多个第二磁铁，第一磁铁和第二磁铁的磁力线方向相反，所述多个第一磁铁和多个第二磁铁呈多行多列排布地嵌设于金属板中，且每一行中至少一个第一磁铁与一个第二磁铁相邻，每一列中也至少有一个第一磁铁与第二磁铁相邻，从而磁控装置的磁场内具有沿着所述行的方向延伸的磁力线和沿着所述列的方向延伸的磁力线。2.如权利要求1所述的磁控式溅镀靶，其特征在于，每一列中多个第一磁铁和多个第 二磁铁相互交替排列。3.如权利要求1所述的磁控式溅镀靶，其特征在于，每一行中的多个第一磁铁和多个 第二磁铁相互交替排列。4.如权利要求1所述的磁控式溅镀靶，其特征在于，金属板与靶材之间的距离在1厘米 至2厘米之间。5.如权利要求1所述的磁控式溅镀靶，其特征在于，所述磁控装置还包括设置于金属 板与靶材之间的支撑元件，所述支撑元件用于支撑金属板并间隔金属板与靶材。6.如权利要求1所述的磁控式溅镀靶，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：裴绍凯，
申请(专利权)人：鸿富锦精密工业深圳有限公司，鸿海精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：94[中国|深圳]