低氧控制系统技术方案

本实用新型专利技术涉及半导体生产装置领域。本实用新型专利技术的一种低氧控制系统，包括依次连接的氮气输送装置、循环风机和处理腔室，其中，所述处理腔室外部还连接有循环管路和氧气分析仪，所述氧气分析仪的另一入口端与氮气输送装置连接，所述循环风机上还安装有换气阀门。本实用新型专利技术低氧控制系统，能控制相对空间（即微环境）中的氧气浓度，从而有效控制晶片的自然氧化状况。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术属于半导体生产装置领域，具体涉及一种晶片氧化工艺中的低氧控制系统。
技术介绍
在半导体生产中，经常需要经过热处理工序。经热处理后，晶片近表面层形成一个没有缺陷的区域保护层，半导体制造工艺中，晶片热处理的目标是按厚度要求生长无缺陷、均匀的薄膜。所谓薄膜，是一种在衬底上生长的薄固体物质，这层膜可以是导体、绝缘物质或者是半导体材料。薄膜可以是二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)多晶硅以及金属等。SiO2是具有熔点温度1732℃的本征(纯)玻璃体。热生长的SiO2能紧紧粘附在硅衬底上，并具有优良的介质特性。硅表面总是覆盖一层SiO2，这是因为晶片只要在空气中暴露，就会立刻在其上形成几个原子层的自然氧化膜。即使长时间暴露在25℃的室温下，这层氧化膜的厚度也只能达到40埃左右。这种氧化物是不均匀的，在半导体工艺中常被认为是种污染物。自然氧化层的影响给薄膜工艺技术带来了挑战，对于薄膜厚度很薄的工艺，晶圆表面氧分子给薄膜厚度带来的变化，将会明显影响微晶体管的性能。因此，在晶片的热处理前、以及热处理之后都需要在一个能够控制氧气浓度的空间中进行取片、传片操作。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低氧控制系统，包括依次连接的氮气输送装置、循环风机和处理腔室，其特征在于，所述处理腔室外部还连接有循环管路和氧气分析仪，所述氧气分析仪的一入口端与氮气输送装置连接，所述循环风机上还安装有换气阀门。

【技术特征摘要】
1.一种低氧控制系统，包括依次连接的氮气输送装置、循环风机和处理腔室，其特征在于，所述处理腔室外部还连接有循环管路和氧气分析仪，所述氧气分析仪的一入口端与氮气输送装置连接，所述循环风机上还安装有换气阀门。2.如权利要求1所述的低氧控制系统，其特征在于，所述处理腔室上连接有排气管路，所述氮气输送装置上包括有控制阀。3.如权利要求2所述的低氧控制系统，其特征在于，所述排气管路上安装有排气阀。4.如权利要求3所述的低氧控制系统，其特征在于，还包括控制系统，所述控制系统的一端与氧气分析仪连接，另一端与所述氮气输送装置上的控制阀连接，所述排气阀与控制系统连接。5.如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：林松，赵星梅，钟华，
申请(专利权)人：北京七星华创电子股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：11[中国|北京]