腔室窗及等离子体工艺腔室制造技术

本发明专利技术公开了一种腔室窗及等离子体工艺腔室，腔室窗包括上盖，上盖的下表面设有内衬，腔室窗的边缘部位设有楔形支座，上盖和内衬支撑于楔形支座上，上盖与楔形支座之间设有密封圈，楔形支座支撑于工艺腔室的腔体上。工艺过程中，上盖部分主要承受大气压力；内衬部分主要抵抗等离子气体轰击和腐蚀，对上盖起到保护作用，可以通过更换内衬，延长上盖的使用寿命，减小对加工工艺的影响。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种等离子体设备，尤其涉及一种腔室窗及等离子体工艺腔室。
技术介绍
目前，等离子技术已经广泛应用于半导体制备及加工领域。 如图1所示，现有技术中，等离子体工艺腔室由腔体1、密封环2、腔室窗3等构成一个密闭空间，工艺腔室内设有下电极，腔室窗3上设有喷嘴。在等离子体工艺过程中，工艺气体通过喷嘴进入工艺腔室，对支撑在下电极的支架上的基片进行加工工艺。 如图2所示，现有技术中，腔室窗3的窗体由一层介质材料构成，直接设置在密封环2上，腔室窗3与密封环2之间可以设有柔性密封圈4等。 上述现有技术至少存在以下缺点 在加工过程中，腔室窗3的内侧暴露在等离子气体中，所以会受到等离子气体的 轰击和腐蚀，使用一段时间后，腔室窗3的内侧的粗糙度会增高，并会受到刻蚀，使加工工 艺受到影响，并会縮短腔室窗3的使用寿命。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种对加工工艺影响小，且使用寿命长的腔室窗及等离子体 工艺腔室。 本专利技术的目的是通过以下技术方案实现的 本专利技术的腔室窗，包括上盖，所述上盖的下表面设有内衬。 本专利技术的等离子体工艺腔室，该工艺腔室的上方设有上述的腔室窗。 由上述本专利技术提供的技术方案可以看出，本专利技术所述的腔室窗及等离子体工艺腔室，由于上盖的下表面设有内衬，对上盖起到保护作用，可以通过更换内衬，延长上盖的使用寿命，减小对加工工艺的影响。附图说明 图1为现有技术中等离子体工艺腔室的结构示意图； 图2为现有技术中腔室窗的结构示意图； 图3为本专利技术中腔室窗的结构示意图。具体实施例方式本专利技术的腔室窗，其较佳的具体实施方式如图3所示，包括上盖5，上盖5的下表面 设有内衬6。工艺过程中，内衬6可以对上盖5起到保护作用。 腔室窗的边缘部位可以设有楔形支座7，上盖5和内衬6的边缘分别设有斜面，斜面与楔形支座7的楔形面相吻合。楔形支座7对内衬6起到支撑作用。 上盖5边缘的斜面与楔形支座7的楔形面之间设有密封装置，密封装置可以为0形圈8或其它的柔性密封圈等。当上盖5和内衬6支撑于楔形支座7上时，上盖5边缘的 斜面与楔形支座7楔形面之间通过密封装置密封，使上盖5与内衬6之间的空隙与大气隔 绝，避免工艺过程中内衬6的下方形成负压时，内衬6的上方受到大气的压力。 楔形支座7的楔形面的楔形角可以为30 60。，如45°等，具体可以根据楔形支 座7的材料、工艺要求等选择楔形角的角度。 上盖5的厚度可以为30 50mm，内衬6的厚度可以为10 20mm，楔形支座7外 缘的高度大于内衬6的厚度，使上盖5与内衬6之间的空隙能够被楔形支座7密封。具体 上盖5和内衬6的厚度及楔形支座7外缘的高度等可以根据腔室的大小、工艺要求等选择 需要的尺寸。 上盖5与楔形支座7和内衬6的材料可以相同，如均采用石英、SiN或陶瓷材料等，目的是为了让以上三部分膨胀系数完全一致，尽可能减少相互之间的应力。 本专利技术的等离子体工艺腔室，其较佳的具体实施方式如图3所示，并参见图l，该工艺腔室的上方设有上述的腔室窗。 具体的设置方式可以是，工艺腔室的腔体的上缘设有密封环2，腔室窗的边缘部位 的楔形支座7的下表面支撑于密封环2上，腔室窗的上盖5和内衬6分别支撑于楔形支座 7的楔形面上。也可以不设楔形支座7，而将腔室窗直接支撑在工艺腔室的腔体上或密封环 2上。 本专利技术的腔室窗及等离子体工艺腔室中，上盖5部分主要承受大气压力；内衬6部 分主要抵抗等离子气体轰击和腐蚀；楔形支座7主要起支撑上盖5和内衬6两部分的功能。 楔形支座7的楔形面与上盖5的接触面加入密封圈，起到密封作用。 楔形支座7的下表面与密封环2之间可以设置柔性密封圈4等，与上盖5与楔形 支座7之间的O形圈8联合作用，对工艺腔室进行密封，并使上盖5与内衬6之间的空隙 与大气完全隔绝，工艺过程中，当工艺腔室内形成真空时，上盖5与内衬6之间的空隙也为 真空状态，大气的压力完全作用于上盖5上，内衬6不承受大气压力，因此，内衬6可以做得 较薄，减少更换内衬时的材料损失。 本专利技术中，因为内衬的薄层部分直接暴露在等离子的轰击和腐蚀下，工艺过程中相对较容易损耗和表面状态恶化(表面不均匀腐蚀造成粗糙度增高等)，因此仅需要更换腔室窗的内衬部分，而不需要更换整个腔室窗，可以节约材料、减少耗材的消耗。 以上所述，仅为本专利技术较佳的具体实施方式，但本专利技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本
的技术人员在本专利技术揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种腔室窗，包括上盖，其特征在于，所述上盖的下表面设有内衬。

【技术特征摘要】
一种腔室窗，包括上盖，其特征在于，所述上盖的下表面设有内衬。2. 根据权利要求1所述的腔室窗，其特征在于，所述腔室窗的边缘部位设有楔形支座， 所述上盖和所述内衬的边缘分别设有斜面，所述斜面与所述楔形支座的楔形面相吻合。3. 根据权利要求2所述的腔室窗，其特征在于，所述上盖边缘的斜面与所述楔形面之 间设有密封装置。4. 根据权利要求3所述的腔室窗，其特征在于，所述密封装置为O形圈。5. 根据权利要求2所述的腔室窗，其特征在于，所述楔形面的楔形角为30 60。。6. 根据权利要求5所述的腔室窗，其特征在于，所述楔形面的楔形角为45。。7. 根...

【专利技术属性】
技术研发人员：李俊杰，
申请(专利权)人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]