一种具有接触插塞结构的VDMOSFET器件制造技术

本发明专利技术公开了一种具有接触插塞结构的VDMOSFET器件，本发明专利技术涉及半导体功率器件技术领域，包括漏极，漏极的上方设置有导电衬底层，导电衬底层的上端两侧均设置有导电外延层，导电衬底层的上端中部设置有导电柱区，导电柱区的上方均设置有绝缘层和栅介质层，导电源区的上方、栅介质层的上方和导电阱区的上方共同设置有源极电极，源极电极的上方两侧设置有金属插塞结构和硬掩膜层，两个金属插塞结构的上方均设置有栅极金属层。该具有接触插塞结构的VDMOSFET器件，增加电场的缓冲高效性，避免器件栅极层积累大量电荷造成栅极层被击穿的情况，有利于保障器件耐高压的性能，提高MOSFET晶体管的使用效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体功率器件，特别涉及一种具有接触插塞结构的vdmosfet器件。

技术介绍

1、vdmosfet是功率半导体器件中拥有巨大潜力的时代新兴功率器件，使用新型半导体材料碳化硅，凭借其材料本身的多种电学特性，在高压高温和高功率器件应用领域具有极为可观的前景，具体表现有高耐压、宽禁带、耐高温以及高电子迁移率等等，因此，作为最前沿的功率器件之一，对vdmosfet功率器件亟须进行相应的研究而且也具有较大科研意义。

2、传统的mosfet晶体管由于栅极下的栅极层非常薄，且具有较大的栅漏电容c，使得器件栅极容易积累大量电荷造成栅极层被击穿，从而造成器件的耐高压特性比较差，同时，在mosfet晶体管使用时，栅极与多晶硅保护电极之间需要有非常好的绝缘性，这不仅增加工艺难度，还不利于保障器件耐高压的性能，导致器件的稳定性能较差，影响mosfet晶体管的使用效果。

3、故此，现提出一种新型的具有接触插塞结构的vdmosfet器件。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种具有接触插塞本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种具有接触插塞结构的VDMOSFET器件，包括漏极(1)，其特征在于：所述漏极(1)的上方设置有导电衬底层(2)，所述导电衬底层(2)的上端两侧均设置有导电外延层(3)，所述导电衬底层(2)的上端中部设置有导电柱区(4)，所述导电柱区(4)的上方均设置有绝缘层(5)和栅极电极(7)，所述栅极电极(7)内设置有栅介质层(6)，所述绝缘层(5)设置有两个，两个所述绝缘层(5)的上方分别设置有导电扩展层(13)和导电阱区(7)，所述导电扩展层(13)的上方设置有导电源区(12)，所述导电源区(12)的上方、栅介质层(6)的上方和导电阱区(7)的上方共同设置有源极电极(8)，所述源极电极(...

【技术特征摘要】

1.一种具有接触插塞结构的vdmosfet器件，包括漏极(1)，其特征在于：所述漏极(1)的上方设置有导电衬底层(2)，所述导电衬底层(2)的上端两侧均设置有导电外延层(3)，所述导电衬底层(2)的上端中部设置有导电柱区(4)，所述导电柱区(4)的上方均设置有绝缘层(5)和栅极电极(7)，所述栅极电极(7)内设置有栅介质层(6)，所述绝缘层(5)设置有两个，两个所述绝缘层(5)的上方分别设置有导电扩展层(13)和导电阱区(7)，所述导电扩展层(13)的上方设置有导电源区(12)，所述导电源区(12)的上方、栅介质层(6)的上方和导电阱区(7)的上方共同设置有源极电极(8)，所述源极电极(8)的上方两侧设置有金属插塞结构(10)和硬掩膜层(9)，两个所述金属插塞结构(10)的上方均设置有栅极金属层(14)。

2.根据权利要求1所述的一种具有接触插塞结构的vdmosfet器件，其特征在于：所述导电衬底层(2)的掺杂浓度为5×1058cm-3；

3.根据权利要求1所述的一种具有接触插塞结构的vdmosfet器件，其特征在于：两个所述导电外延层(3)内均设置有介电层沟槽(32)，两个所述介电层沟槽(32)的开设方向相反。

4.根据权利要求1所述的一种具有接触插塞结构的vdmosfet器件，其特征在于：所述绝缘层(5)远离源极电极(8)的一侧形成了异质结接触，异质结接触通过淀积形成导电多晶碳化硅层(61)，所述栅...

【专利技术属性】
技术研发人员：许一力，刘倩倩，
申请(专利权)人：杭州谱析光晶半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：