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本发明公开了一种具有接触插塞结构的VDMOSFET器件，本发明涉及半导体功率器件技术领域，包括漏极，漏极的上方设置有导电衬底层，导电衬底层的上端两侧均设置有导电外延层，导电衬底层的上端中部设置有导电柱区，导电柱区的上方均设置有绝缘层和栅介质...
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