本发明公开一种抑制电压过冲的六边埋沟井槽SiC VDMOSFET结构，包括六边形元胞，六边形元胞具有P阱和N阱基本注入形貌，N阱具有P+2，P阱、N阱及P+2上贯穿形成埋沟式U槽，使得SiC VDMOSFET结构中形成具有栅源之间纵向的...

本发明公开一种高容错率抑制漏源电压过冲的六边形元胞SiC VDMOSFET结构，包括六边形MOS元胞具有JFET区，JFET区下方的P阱形成窄JFET区的屏蔽结构且在对应的位置采用了阶梯栅氧，屏蔽结构可以提高器件的雪崩能力，还可以大幅降...

本发明公开一种高容错率抑制漏源电压过冲的六边埋沟井槽SiC VDMOSFET结构，包括六边形MOS元胞，六边形MOS元胞引入埋沟井槽，大幅减小元胞尺寸，增加电流密度，六边形MOS元胞的JFET区具有屏蔽结构且在对应的位置采用了阶梯栅氧，...

本发明公开一种SiC功率MOSFET器件生产中的增厚光刻胶的多曝光开孔方法，包括如下步骤，S1：然后制作极限线宽光刻板备用，极限线宽光刻板的单个曝光单位内的图形曝光区域为直径0.5um的圆形；S2：在碳化硅功率MOSFET器件的衬底上均...

本发明公开JFET区源极接触的抑制电压过冲的六边埋沟井槽屏蔽SiC VDMOSFET，其包括多个并联连接的条形的六边形MOS元胞，六边形MOS元胞中引入埋沟井槽并构建N+/P+/polySi背靠背二极管，JFET区的下方具有屏蔽结构而在...

本发明公开一种六边屏蔽型埋沟井槽SIC MOSFET结构，包括多个并联的六边形MOS元胞，在六边形MOS元胞引入埋沟井槽，减小单个重复元胞尺寸增大电流密度，同时增强器件防栅源击穿性能，六边形MOS元胞中具有屏蔽结构，屏蔽结构可以提高器件...

本发明公开JFET区源极接触的抑制电压过冲的埋沟U槽屏蔽型SiC VDMOSFET结构，包括碳化硅外延层具有埋沟式U槽并在栅源之间纵向的N/P+2/polySi背靠背二极管和JFET区上方形成肖特基接触，实现钳位稳压的作用，同时将元胞的...

本发明公开一种高容错率抑制电压过冲的六边井槽屏蔽型SiC VDMOSFET结构，包括引入井槽的六边形MOS元胞并在其中构建有N+/P+/polySi背靠背二极管、屏蔽结构及阶梯栅氧，避免栅源电极在开关过程中因剧烈振荡而出现的过电压应力，...

本发明公开一种具有抑制电压过冲功能的六边井槽SiC VDMOSFET结构，其包括多个并联连接的条形的六边形MOS元胞，六边形MOS元胞中引入井槽，六边形MOS元胞中具有N+/P+/polySi背靠背二极管，六边形MOS元胞中具有屏蔽结构...

本发明公开JFET区源极接触的抑制电压过冲的六边埋沟井槽屏蔽SiC VDMOSFET，包括六边形元胞，六边形元胞具有P阱和N阱基本注入形貌，在栅源之间纵向的N/P+2/polySi背靠背二极管，实现钳位稳压的作用，同时将元胞的P阱与N阱...

本发明公开一种平面栅六边形元胞SIC MOSFET结构，包括多个并联的六边形MOS元胞，六边形MOS元胞六个边相邻位置均分布有六边形MOS元胞，相邻六边形MOS元胞至少有一边平行，六边形MOS元胞具有多晶硅栅极，多晶硅栅极下侧具有一层栅...

本发明公开一种高容错率抑制电压过冲的六边屏蔽型SiC VDMOSFET结构，包括六边形MOS元胞并在其中构建有的N+/P+/polySi背靠背二极管、屏蔽结构及阶梯栅氧，避免栅源电极在开关过程中因剧烈振荡而出现的过电压应力，屏蔽结构可以...

本发明公开JFET区源极接触的抑制栅源电压过冲的六边形元胞SiC VDMOSFET结构，其包括多个二维平面内分布的并联的六边形MOS元胞，六边形MOS元胞中具有N+/P+/polySi背靠背二极管，片上集成N‑SiC/P‑SiC/pol...

本发明公开JFET区源极接触的抑制栅源电压过冲的六边形元胞井槽SiC VDMOSFET，其包括六边形MOS元胞，六边形MOS元胞引入井槽或埋沟的井槽，六边形MOS元胞中具有N+/P+/polySi背靠背二极管，片上集成N‑SiC/P‑S...

本发明公开增加JFET区源极接触的具有抑制栅源电压过冲的SiC VDMOSFET结构，其包括多个并联连接的条形的MOS元胞，至少一个所述MOS元胞中具有N+/P+/polySi背靠背二极管，实现利用MOS元胞基本结构自然加入了N+/P+...

本发明公开高容错率抑制电压过冲的六边埋沟井槽屏蔽型SiC VDMOSFET结构，包括引入埋沟井槽的六边形MOS元胞并在其内构建有N+/P+/polySi背靠背二极管、屏蔽结构及阶梯栅氧，避免栅源电极在开关过程中因剧烈振荡而出现的过电压应...

本发明公开JFET区源极接触的抑制栅源电压过冲的埋沟U槽SiC VDMOSFET结构，包括MOS元胞，在MOS元胞中具有N/P+2/polySi背靠背二极管并引入埋沟U槽，实现钳位稳压的作用，同时将元胞的P阱与N阱同时与源区的欧姆接触由...

本发明公开一种具有抑制栅源及漏源电压过冲功能的SiC VDMOSFET结构，包括多个并联的MOS元胞，MOS元胞具有的栅氧层上具有一凸起段，凸起段位于MOS元胞的JFET区上方，MOS元胞还具有为P型半导体区的P+2，使得MOS元胞中形...

本发明公开一种具有抑制栅源电压过冲的六边形元胞井槽SiC VDMOSFET结构，其包括多个二维平面内分布的并联的六边形MOS元胞，所述六边形MOS元胞引入井槽，至少一个所述六边形MOS元胞中具有N+/P+/polySi背靠背二极管，实现...

本发明公开一种具有抑制栅源电压过冲功能的U槽SiC VDMOSFET结构，其包括多个并联连接的条形的MOS元胞，至少一个所述MOS元胞中具有N+/P+/polySi背靠背二极管，所述N+/P+/polySi背靠背二极管包括通过离子注入形...