【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及sic mosfet器件的芯片结构中的电压过冲改进，具体涉及jfet区源极接触的抑制电压过冲的六边埋沟井槽屏蔽sic vdmosfet。
技术介绍
1、sic mosfet器件具有高频低损耗的显著优势，在电动汽车、光伏逆变器和充电桩等领域有十分广泛的应用。然而，sic mosfet极快的开关速度使得器件在开通和关断过程中极易产生电压过冲的问题，电压过冲问题主要体现在两个方面：
2、1.栅源电压过冲：栅源电压过冲问问题极易导致sic mos栅氧承受极高的电压应力，长期使用过程中易出现栅氧性能退化甚至栅极损坏的现象。为了抑制开关过程中栅源电压过冲的问题，通常采用增大栅极驱动电阻以降低开关速度和在栅源电极之间外接稳压二极管等方法。增大栅极驱动电阻虽然有效缓解了开关过程中的电压过冲问题，但较长的开关时间不仅增大了开关损耗，而且无法充分发挥出sic mosfet高速开关的性能优势。同样地，在栅源电极之间外接稳压二极管会增大栅源之间的电容，降低sic mosfet的开关速度。此外，由于外接稳压二极管通常为型号固定的商用器件，其稳压性能、寄生电容等通常无法直接和sic mosfet形成最佳匹配，严重限制了sic mosfet器件性能的充分发挥。图1和图2中展示了两种常用的抑制sic mosfet快速开关过程中出现电压过冲的方法。
3、2.漏源电压过冲：漏源电压过冲极易在800v的电驱系统等应用中导致sic mosfet器件出现短时的雪崩击穿，在sic mos栅氧附近形成极大的电热应力，长期使用过程中易出现
4、研究表明，目前在改善器件的各种性能方面太过于注重，但是很多研发这忽略了器件尺寸方面的同步改进优势，此外，随着制造工艺的发展，sic mosfet器件的元胞尺寸基本已经达到极限，如何进一步缩减器件的元胞尺寸或者提高器件的电流密度，成为制约器件导通电阻的重要因素，考虑到器件的性能方面，传统的vdmosfet器件，其体二极管主要由pn结组成，其开启电压相对较大。传统vdmosfet的crss也较大，这是由于栅极(g极)与漏极(d极)的正对面积较大。crss较大，直接导致器件的ciss、coss等参数较大，从而增加器件的开关损耗，因此本专利技术提供了一种针对sic mosfet器件全方位的解决方案。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术的目的在于提供jfet区源极接触的抑制电压过冲的六边埋沟井槽屏蔽sic vdmosfet，通过引入埋沟井槽的六边形元胞并在其内的栅极和源极之间单片集成n+/p+/polysi结构和p型半导体区侧面jfet区引入屏蔽结构，构建出两个背靠背的钳位二极管，避免栅源电极在开关过程中因剧烈振荡而出现的过电压应力。通过在同一元胞中的p型半导体区侧面jfet区引入屏蔽结构，一方面在jfet区底部实现大幅缩短jfet区的宽度，达到屏蔽器件在发生漏源电压过冲时在栅氧下形成的极强电场，提升器件的雪崩能力；另一方面较窄的jfet区出口有利于在jfet区底部通过耗尽效应减小器件短路时的电流路径宽度，大幅降低器件的短路饱和电流，进而提升sic mosfet的短路能力。此外，通过引入屏蔽结构以对栅氧下方的jfet区形成良好的保护作用，因此可以大幅提高栅氧下方jfet区的掺杂浓度，降低sic mosfeet积累层电阻和jfet电阻，突破常规sic mosfet结构优化中器件导通电阻和短路能力难以协同提升的难题，同时将栅源电压过冲和漏源电压过冲集中于一个片上解决，突出全面的性能，此外，引入埋沟井槽结构使p型半导体区与n+型半导体区的欧姆接触需同时与源极的短接由横向转为纵向，减小了单个重复元胞尺寸，增加了器件的电流密度，此外，由于栅极两侧的介质层合并沉积入埋沟内，从而相比井槽可以避免因为栅极侧面的介质层单薄而被栅源电压击穿，器件性能更加稳定和优越，采用六边形元胞减少了源区的面积占比，增加了器件的电流密度，进一步降低导通电阻。还通过将vdmosfet的jfet区顶端多晶硅栅分裂，降低g极与d极的正对面积，大幅降低碳化硅vdmosfet的crss，进一步大幅度将器件的开关损耗，在jfet区顶端采用肖特基接触，可以大幅度降低碳化硅mosfet器件的体二极管的开启电压，从而降低体二极管正向压降。
2、为解决以上技术问题，本专利技术提供jfet区源极接触的抑制电压过冲的六边埋沟井槽屏蔽sic vdmosfet，包括碳化硅外延层，所述碳化硅外延层上通过离子注入形成等距分布呈井状的p型半导体区，所述p型半导体区中部通过相同极高浓度的离子注入形成有p+1型半导体区，所述p型半导体区上通过离子注入形成有位于所述p+1型半导体区两侧的所述n+型半导体区，相邻所述p型半导体区之间形成有所述jfet区，所述jfet区上淀积有栅氧层，所述栅氧层覆盖至少包括jfet区与所述n+型半导体区之间的p型半导体区，所述栅氧层上淀积有所述多晶硅栅极，所述多晶硅栅极上淀积有介质层，所述p型半导体区、n+型半导体区、介质层上统一淀积有源极，其中，为了便于理解六边形mos元胞，将多晶硅栅极下所覆盖用于形成开关通路的两个对称npn结构范围内的半导体区定义为六边形mos元胞；所述六边形mos元胞俯视结构呈正六边形，所述六边形mos元胞六个边相邻位置均分布有所述六边形mos元胞，相邻所述六边形mos元胞至少有一边平行，至少一个所述六边形mos元胞中具有n+/p+/polysi背靠背二极管，所述n+/p+/polysi背靠背二极管包括通过离子注入形成于所述六边形mos元胞其中一侧的n+型半导体区内的p+2型半导体区，所述n+型半导体区的欧姆接触短接源极，以形成源极侧的n+/p+结二极管，所述p+2型半导体区直接与六边形mos元胞的一端多晶硅栅极接触，以形成p+/polysi异质结二极管；所述jfet区的横截面呈柱型轮廓，所述柱型轮廓至少具有一粗径段和一细径段以形成屏蔽结构，所述粗径段与所述六边形mos元胞的栅氧层接触；所述n+型半导本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.JFET区源极接触的抑制电压过冲的六边埋沟井槽屏蔽SiC VDMOSFET，包括碳化硅外延层，所述碳化硅外延层上通过离子注入形成等距分布呈井状的P型半导体区，所述P型半导体区中部通过相同极高浓度的离子注入形成有P+1型半导体区，所述P型半导体区上通过离子注入形成有位于所述P+1型半导体区两侧的所述N+型半导体区，相邻所述P型半导体区之间形成有所述JFET区，所述JFET区上淀积有栅氧层，所述栅氧层覆盖至少包括JFET区与所述N+型半导体区之间的P型半导体区，所述栅氧层上淀积有所述多晶硅栅极，所述多晶硅栅极上淀积有介质层，所述P型半导体区、N+型半导体区、介质层上统一淀积有源极，其中，为了便于理解六边形MOS元胞，将多晶硅栅极下所覆盖用于形成开关通路的两个对称NPN结构范围内的半导体区定义为六边形MOS元胞；其特征在于，所述六边形MOS元胞俯视结构呈正六边形，所述六边形MOS元胞六个边相邻位置均分布有所述六边形MOS元胞，相邻所述六边形MOS元胞至少有一边平行，至少一个所述六边形MOS元胞中具有N+/P+/polySi背靠背二极管，所述N+/P+/polySi背靠背二极管包括通
2.根据权利要求1所述的JFET区源极接触的抑制电压过冲的六边埋沟井槽屏蔽SiCVDMOSFET，其特征在于，所述P+2型半导体区位于所述N+型半导体区内中部或不靠近侧面。
3.根据权利要求1所述的JFET区源极接触的抑制电压过冲的六边埋沟井槽屏蔽SiCVDMOSFET，其特征在于，所述多晶硅栅极位于所述P+2型半导体区正上部贯穿所述六边形MOS元胞的栅氧层并与之连接，所述多晶硅栅极只与所述P+2型半导体区接触。
4.根据权利要求1所述的JFET区源极接触的抑制电压过冲的六边埋沟井槽屏蔽SiCVDMOSFET，其特征在于，所述粗径段和所述细径段自上而下布置并依次连通。
5.根据权利要求1所述的JFET区源极接触的抑制电压过冲的六边埋沟井槽屏蔽SiCVDMOSFET，其特征在于，所述粗径段与所述细径段的直径呈等差数值，和/或，所述粗径段与所述细径段的直径呈非等差数值。
6.根据权利要求1所述的JFET区源极接触的抑制电压过冲的六边埋沟井槽屏蔽SiCVDMOSFET，其特征在于，所述P+1型半导体区与所述P+2型半导体区注入为相同离子；所述P型半导体区与所述JFET区外侧对应的结构呈榫卯适配的连接。
7.根据权利要求1所述的JFET区源极接触的抑制电压过冲的六边埋沟井槽屏蔽SiCVDMOSFET，其特征在于，所述碳化硅外延层下方具有N衬底，所述N衬底下方具有漏极。
8.根据权利要求1所述的JFET区源极接触的抑制电压过冲的六边埋沟井槽屏蔽SiCVDMOSFET，其特征在于，所述P型半导体区注入离子为Al离子或B离子，所述P+1型半导体区和P+2型半导体区内注入为极高浓度的Al离子或B离子，所述N+型半导体区内注入为极高浓度的P离子或N离子。
9.根据权利要求1所述的JFET区源极接触的抑制电压过冲的六边埋沟井槽屏蔽SiCVDMOSFET，其特征在于，所述介质层为SiO2，所述栅氧层也被所述肖特基结打断形成分别位于两段的所述多晶硅栅极下方，所述介质层也被打断并分别形成分别包裹两段的所述多晶硅栅极的介质层1和介质层2。
10.根据权利要求1所述的JFET区源极接触的抑制电压过冲的六边埋沟井槽屏蔽SiCVDMOSFET，其特征在于，所述P阱上的注入的离子为倒注入，即所述P阱的底部离子浓度高于顶部浓度。
...【技术特征摘要】
1.jfet区源极接触的抑制电压过冲的六边埋沟井槽屏蔽sic vdmosfet，包括碳化硅外延层，所述碳化硅外延层上通过离子注入形成等距分布呈井状的p型半导体区，所述p型半导体区中部通过相同极高浓度的离子注入形成有p+1型半导体区，所述p型半导体区上通过离子注入形成有位于所述p+1型半导体区两侧的所述n+型半导体区，相邻所述p型半导体区之间形成有所述jfet区，所述jfet区上淀积有栅氧层，所述栅氧层覆盖至少包括jfet区与所述n+型半导体区之间的p型半导体区，所述栅氧层上淀积有所述多晶硅栅极，所述多晶硅栅极上淀积有介质层，所述p型半导体区、n+型半导体区、介质层上统一淀积有源极，其中，为了便于理解六边形mos元胞，将多晶硅栅极下所覆盖用于形成开关通路的两个对称npn结构范围内的半导体区定义为六边形mos元胞；其特征在于，所述六边形mos元胞俯视结构呈正六边形，所述六边形mos元胞六个边相邻位置均分布有所述六边形mos元胞，相邻所述六边形mos元胞至少有一边平行，至少一个所述六边形mos元胞中具有n+/p+/polysi背靠背二极管，所述n+/p+/polysi背靠背二极管包括通过离子注入形成于所述六边形mos元胞其中一侧的n+型半导体区内的p+2型半导体区，所述n+型半导体区的欧姆接触短接源极，以形成源极侧的n+/p+结二极管，所述p+2型半导体区直接与六边形mos元胞的一端多晶硅栅极接触，以形成p+/polysi异质结二极管；所述jfet区的横截面呈柱型轮廓，所述柱型轮廓至少具有一粗径段和一细径段以形成屏蔽结构，所述粗径段与所述六边形mos元胞的栅氧层接触；所述n+型半导体区上刻蚀开凿有埋沟，所述埋沟下方刻蚀连通有井槽，所述井槽贯穿所述n+型半导体区并深入至所述p型半导体区内，所述井槽内淀积有金属的源极，所述源极与所述n+型半导体区和p型半导体区的欧姆接触同时短接，相邻所述多晶硅栅极的介质层合并沉积入所述埋沟内深埋所述源极，使得源极与所述n+型半导体区和p型半导体区的欧姆接触同时短接由横向转变为纵向，同时省略多晶硅栅极侧面的介质层；所述多晶硅栅极位于所述jfet区上的位置被打断以形成两段的所述多晶硅栅极，所述源极通过两段的所述多晶硅栅极与所述jfet区直接接触以形成肖特基结。
2.根据权利要求1所述的jfet区源极接触的抑制...
【专利技术属性】
技术研发人员：许一力，
申请(专利权)人：杭州谱析光晶半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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