一种晶圆凸块重布线层、改善光阻脱层的晶圆凸块重布线层制作方法技术

本发明专利技术提供一种晶圆凸块重布线层、改善光阻脱层的晶圆凸块重布线层制作方法，包括以下步骤：提供基底，基底包括衬底及电性连接层，电性连接层包括介质层及焊盘；形成绝缘层于电性连接层上，绝缘层中具有第一开口；形成溅镀层于绝缘层上；对溅镀层进行化学预处理；形成光阻层于溅镀层上，并图案化光阻层以得到PR开口；形成铜迹线层于PR开口内；去除图案化后的光阻层；刻蚀溅镀层的显露部分，得到晶圆凸块重布线层。本发明专利技术引入化学预处理的步骤，使溅镀层表面变的粗糙，增加光阻与溅镀层表面的结合力，在不增加设备投资和操作复杂性的情况下，从根本上改善了重布线层制程中的光阻脱层现象，又避免了对晶圆重布线层的其他性能产生影响。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体制造和微电子制程，特别是涉及一种晶圆凸块重布线层、改善光阻脱层的晶圆凸块重布线层制作方法。

技术介绍

1、在半导体芯片封装过程中，晶圆凸块重布线层起着至关重要的作用，它通过一系列精密的制程步骤实现电路的重新布局和连接。这些步骤主要包括：pi层形成，使用聚酰亚胺(pi)作为介电层，为电路提供绝缘保护；种子层形成，通过溅射沉积形成一层金属薄膜；trc pr，利用热回流涂层技术在种子层上形成图案化的光阻层，为蚀刻和金属化步骤做准备；plating cu trace，在定义区域电镀铜，形成电路连接；trc pr strip，去除多余的光阻，为下一步制程做准备；cap spt etch，蚀刻未被铜覆盖的种子层，完成重布线层的形貌。其中，在现有技术中，光阻脱层问题是一个主要挑战，它可能导致重布线层rdl trc线路桥接，影响产品的性能和可靠性。

2、光阻脱层问题通常由光阻与种子层表面结合力不足引起，为解决光阻脱层问题，现有技术主要通过以下方式优化光阻涂覆工艺：优化涂布参数，如涂布速度和压力，以提高光阻的均匀性和附着力；改进设备设计，如增本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种改善光阻脱层的晶圆凸块重布线层制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的改善光阻脱层的晶圆凸块重布线层制作方法，其特征在于：所述绝缘层的材料包括聚酰亚胺，所述绝缘层的厚度范围为6～7μm。

3.根据权利要求1所述的改善光阻脱层的晶圆凸块重布线层制作方法，其特征在于：所述溅镀层包括Ti层和Cu层，所述Ti层与所述钝化层相邻，所述Cu层位于所述Ti层远离所述钝化层的一面；且所述Ti层的厚度范围为0.1～0.2μm，所述Cu层的厚度范围为0.1～0.2μm。

4.根据权利要求1所述的改善光阻脱层的晶圆凸块重布线层制作方法，其特征在...

【技术特征摘要】

1.一种改善光阻脱层的晶圆凸块重布线层制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的改善光阻脱层的晶圆凸块重布线层制作方法，其特征在于：所述绝缘层的材料包括聚酰亚胺，所述绝缘层的厚度范围为6～7μm。

3.根据权利要求1所述的改善光阻脱层的晶圆凸块重布线层制作方法，其特征在于：所述溅镀层包括ti层和cu层，所述ti层与所述钝化层相邻，所述cu层位于所述ti层远离所述钝化层的一面；且所述ti层的厚度范围为0.1～0.2μm，所述cu层的厚度范围为0.1～0.2μm。

4.根据权利要求1所述的改善光阻脱层的晶圆凸块重布线层制作方法，其特征在于：对所述溅镀层进行化学预处理，包括以下步骤：

5.根据权利要求4所述的改善光阻脱层的晶圆凸块重布线层制作方法，其特征在于：含有氢氧...

【专利技术属性】
技术研发人员：何宇桁，
申请(专利权)人：矽品科技苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：