一种制造成本较低的Sic VDMOSFET结构制造技术

本技术公开了一种制造成本较低的Sic VDMOSFET结构，本技术涉及半导体功率器件技术领域，包括漏极，漏极的上方设置有导电衬底层，导电衬底层的上端两侧均设置有导电外延层，导电衬底层的上端中部设置有导电柱区，导电柱区的上方设置有栅介质层和栅极电极，栅介质层内设置有导电多晶碳化硅层，两个导电外延层的上方均设置有缓冲结构，两个缓冲结构的上方分别设置有导电源区和导电阱区。该制造成本较低的Sic VDMOSFET结构，增加Sic VDMOSFET器件使用的稳定性，以及能够跟随功率传输时产生的高温及时调整其电阻值，同时，解决带电粒子发生移动使介质发热会增加电流而发生漏电损耗的问题。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体功率器件，特别涉及一种制造成本较低的sicvdmosfet结构。

技术介绍

1、sic vdmosfet是功率半导体器件中拥有巨大潜力的时代新兴功率器件，使用新型半导体材料碳化硅，凭借其材料本身的多种电学特性，在高压高温和高功率器件应用领域具有极为可观的前景，具体表现有高耐压、宽禁带、耐高温以及高电子迁移率等等，因此，作为最前沿的功率器件之一，对sic vdmosfet功率器件亟须进行相应的研究而且也具有较大科研意义，随着科学技术的快速发展，碳化硅材料的应用范围越来越广泛。

2、目前，sic vdmosfet结构在使用时，当出现极高的电场时，此电场会超过二氧化硅的临界击穿电场，使得被击穿之前发生栅氧击穿，影响器件的工作稳定性与可靠性，同时现有的sic vdmosfet器件容易出现双极退化效应，导致sic vdmosfet器件的使用稳定性较弱，且绝缘材料在外电场的作用下，带电粒子会发生移动而引起微弱的电流，漏导电流流经介质时使介质发热会出现电能损耗，从而发生漏电损耗，影响sic vdmosfet器件的使用效果。

3、故本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种制造成本较低的Sic VDMOSFET结构，包括漏极(1)，其特征在于：所述漏极(1)的上方设置有导电衬底层(2)，所述导电衬底层(2)的上端两侧均设置有导电外延层(3)，所述导电衬底层(2)的上端中部设置有导电柱区(4)，所述导电柱区(4)的上方设置有栅介质层(6)和栅极电极(71)，所述栅介质层(6)位于栅极电极(71)内，所述栅介质层(6)内设置有导电多晶碳化硅层(61)，两个所述导电外延层(3)的上方均设置有缓冲结构(5)，两个所述缓冲结构(5)的上方分别设置有导电源区(12)和导电阱区(7)，所述导电源区(12)的上方、栅介质层(6)的上方和导电阱区(7)的上方共同设置...

【技术特征摘要】

1.一种制造成本较低的sic vdmosfet结构，包括漏极(1)，其特征在于：所述漏极(1)的上方设置有导电衬底层(2)，所述导电衬底层(2)的上端两侧均设置有导电外延层(3)，所述导电衬底层(2)的上端中部设置有导电柱区(4)，所述导电柱区(4)的上方设置有栅介质层(6)和栅极电极(71)，所述栅介质层(6)位于栅极电极(71)内，所述栅介质层(6)内设置有导电多晶碳化硅层(61)，两个所述导电外延层(3)的上方均设置有缓冲结构(5)，两个所述缓冲结构(5)的上方分别设置有导电源区(12)和导电阱区(7)，所述导电源区(12)的上方、栅介质层(6)的上方和导电阱区(7)的上方共同设置有源极电极(8)，所述源极电极(8)的一端与缓冲结构(5)接触，所述源极电极(8)的上方设置有两个一号阻光层(9)和二号阻光层(10)，两个所述一号阻光层(9)分别与两个二号阻光层(10)交错分布，所述导电外延层(3)和缓冲结构(5)之间设置有导电扩展层(13)和导电屏蔽区(14)。

2.根据权利要求1所述的一种制造成本较低的sic vdmosfet结构，其特征在于：所述导电衬底层(2)的掺杂浓度为5×1018cm-3；

3.根据权利要求1所述的一种制造成本较低的sic vdmosfet结构，其特征在于：所述导电屏蔽区(14)位于导电扩展层(13)的下方，且导电屏蔽区(14)的深度不小于1.5μm，掺杂浓度为1e17cm-3～5e19cm-3。

4.根据权利要求1所述的一种制造成本较低的sic vdmosfet结构，其特征在于：所述导电扩展层(13)内设置有第一p+接触区(41)、p－接触区(42)和第二p+接触区(43)，且导电扩展层(13)内设置有与导电屏蔽区(14)对应的沟槽。

5.根据权利要求1所述的一种制造成本...

【专利技术属性】
技术研发人员：许一力，刘倩倩，
申请(专利权)人：杭州谱析光晶半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：