【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体材料，尤其涉及一种氮化镓基纳米柱阵列结构及其制备方法。
技术介绍
1、显示器作为人机交互最重要的输出终端，显示技术的终极目标是缩小真实世界同显示画面的差异。随着显示器像素尺寸的不断缩小，来自屏幕的光场能够达到同自然界真实光场相比拟的程度，能够更加真实的还原显示世界。近年来，随着ar和vr等近眼显示技术、光场显示技术的需求日益增长，显示器的分辨率要达到15360×8640的量级才能满足需求。这要求不断缩小像元尺寸至纳米量级。因此制备高质量可控的纳米阵列发光材料成为必然的需求。
2、具有ingan/gan多量子阱纳米柱结构具有低位错密度、低应力、发射波长可调、光提取效率高、比表面积大等优势，成为制备超高分辨率显示器发光像素单元的理想材料。但是当前实现形貌均匀，尺寸可控的纳米柱阵列多采用“自上而下”的干法刻蚀的方法，当发光器件尺寸缩小到纳米量级，刻蚀引入的缺陷作为非辐射中心，会显著降低内量子效率。而基于自组装方法生长的纳米柱阵列尺寸、分布随机不均匀，难以直接应用于显示领域。
技术实现思路
【技术保护点】
1.一种氮化镓基纳米柱阵列结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的氮化镓基纳米柱阵列结构，其特征在于，所述氮化镓模板由下至上依次包括蓝宝石衬底、非掺杂氮化镓层和Si掺杂的N型氮化镓层。
3.根据权利要求1所述的氮化镓基纳米柱阵列结构，其特征在于，所述介质掩模层的材料为SiO2或SiNx。
4.根据权利要求1所述的氮化镓基纳米柱阵列结构，其特征在于，所述N型氮化镓纳米柱掺杂Si元素，掺杂浓度为1018cm-3-1019cm-3。
5.根据权利要求1所述的氮化镓基纳米柱阵列结构，其特征在于，所述N型氮化镓纳米柱为六...
【技术特征摘要】
1.一种氮化镓基纳米柱阵列结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的氮化镓基纳米柱阵列结构，其特征在于，所述氮化镓模板由下至上依次包括蓝宝石衬底、非掺杂氮化镓层和si掺杂的n型氮化镓层。
3.根据权利要求1所述的氮化镓基纳米柱阵列结构，其特征在于，所述介质掩模层的材料为sio2或sinx。
4.根据权利要求1所述的氮化镓基纳米柱阵列结构，其特征在于，所述n型氮化镓纳米柱掺杂si元素，掺杂浓度为1018cm-3-1019cm-3。
5.根据权利要求1所述的氮化镓基纳米柱阵列结构，其特征在于，所述n型氮化镓纳米柱为六棱柱，顶部为(0001)面，侧壁为(10-10)面...
【专利技术属性】
技术研发人员：施博，梁萌，刘志强，张宁，康俊杰，伊晓燕，王军喜，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：
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