具有部分屏蔽层的半导体器件及其制作方法技术

本申请提供了一种用于制作半导体器件的方法。该方法包括：提供封装基底条带，所述封装基底条带上安装有多组第一电子元件和多组第二电子元件；在所述封装基底条带上形成覆盖所述多组第一电子元件的密封剂层；通过喷涂形成第一屏蔽材料，使得所述第一屏蔽材料从所述密封剂层的顶部表面连续地延伸到所述封装基底条带的顶部表面，以至少覆盖所述密封剂层的面朝所述多组第二电子元件的侧表面；将所述封装基底条带单分成具有相应封装基底的单独半导体封装；以及通过溅射在所述密封剂层上形成第二屏蔽材料，其中所述第二屏蔽材料至少部分地与所述第一屏蔽材料重叠。

【技术实现步骤摘要】

本申请大体上涉及半导体技术，且更具体地说，涉及具有部分屏蔽层的半导体器件以及用于制作具有部分屏蔽层的半导体器件的方法。

技术介绍

1、对于电子装置中的电子元件，需要实施电磁干扰(electromagneticinterference，emi)屏蔽以防止由电磁场、静电场等造成的干扰。由于半导体封装设计变得越来越复杂和紧凑，因此需要具有高准确性的选择性emi屏蔽技术。在emi屏蔽的各种方法中，可以使用基于罩(cap-based)的溅射方法或喷涂方法以在半导体封装上形成部分屏蔽。

2、如图1a所示，在呈系统级封装(system-in-package，sip)模块形式的半导体器件10中，通常在基底14上模制密封剂层12以保护电子元件11，所述电子元件进一步由屏蔽层(未示出)屏蔽。例如边界到边界连接器等其它未屏蔽的电子元件18安装在同一基底14上。

3、常规地，首先将封装条带20单分成单独的片，并且接着在密封剂层22内密封电子元件以形成半导体封装。在此之后，如图1b和1c中所示，可对半导体封装应用喷涂方法以形成从密封剂层22的顶部表面到接近于本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于制作半导体器件的方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成第二屏蔽材料的步骤包括：

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述沉积掩模在所述第一屏蔽材料的在所述封装基底上方延伸的一部分上与所述第一屏蔽材料重叠。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第二屏蔽材料完全覆盖所述密封剂层的所述顶部表面和侧表面。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成密封剂层的步骤包括使用注塑工艺形成所述密封剂层。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述密封剂层具有截断的棱柱...

【技术特征摘要】

1.一种用于制作半导体器件的方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成第二屏蔽材料的步骤包括：

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述沉积掩模在所述第一屏蔽材料的在所述封装基底上方延伸的一部分上与所述第一屏蔽材料重叠。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第二屏蔽材料完全覆盖所述密封剂层的所述顶部表面和侧表面。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成密封剂层的步骤包括使用注塑工艺形成所述密封剂层。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述密封剂层具有截断的棱柱的形状，在所述截断的棱柱的周边处具有倾斜侧壁。

7.一种通过根据权利要求1至6中任一项...

【专利技术属性】
技术研发人员：李春，朴星焕，徐仁镐，李承炫，
申请(专利权)人：JCET星科金朋韩国有限公司，
类型：发明
国别省市：