【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体集成电路制造装备，尤其涉及一种实现聚焦环自动对中的装置及方法。
技术介绍
1、在半导体干法刻蚀设备中，通常采用将晶圆放在基座的静电吸盘(esc)上，并整体处于上下电极之间形成的等离子体中，并通过高能离子在电场中加速轰击晶圆并与需去除的材料发生化学反应的方式，在晶圆上得到所需要的图案。
2、然而，在刻蚀设备腔体里，等离子体的浓度分布并不均匀；因此需要在静电吸盘的周围套上一个聚焦环(focus ring/top edge ring)，以改善等离子体在晶圆中间和边缘上的分布均匀性。
3、考虑到聚焦环与静电吸盘之间在尺寸上的适配性，并针对工艺升降温带来的不同形变量，需要在聚焦环与静电吸盘之间留有必要的安装余量，故通常会将聚焦环的内径设计得适当大于静电吸盘的外径，从而在静电吸盘的外周与安装后的聚焦环的内周之间，就不可避免地存在一个间隙量。
4、为了保证刻蚀过程中等离子体在晶圆上分布的均匀性，聚焦环的安装要求与静电吸盘完全同心。如果聚焦环在安装后，发生与静电吸盘之间在中心上的位置偏移，就会造成...
【技术保护点】
1.一种实现聚焦环自动对中的装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的实现聚焦环自动对中的装置，其特征在于，所述聚焦环的内径大于所述静电吸盘的外径，所述聚焦环在套设于所述校正环的外侧面上形成对中后，在所述聚焦环与所述静电吸盘之间形成均匀的安装间隙。
3.根据权利要求2所述的实现聚焦环自动对中的装置，其特征在于，所述校正环在卡接于所述静电吸盘的侧面上时，所述校正环面向上方的表面低于所述安装间隙的上端。
4.根据权利要求1所述的实现聚焦环自动对中的装置，其特征在于，所述静电吸盘的侧面上沿周向设有凹槽，所述校正环嵌设于所述凹槽中与...
【技术特征摘要】
1.一种实现聚焦环自动对中的装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的实现聚焦环自动对中的装置，其特征在于，所述聚焦环的内径大于所述静电吸盘的外径，所述聚焦环在套设于所述校正环的外侧面上形成对中后，在所述聚焦环与所述静电吸盘之间形成均匀的安装间隙。
3.根据权利要求2所述的实现聚焦环自动对中的装置，其特征在于，所述校正环在卡接于所述静电吸盘的侧面上时，所述校正环面向上方的表面低于所述安装间隙的上端。
4.根据权利要求1所述的实现聚焦环自动对中的装置，其特征在于，所述静电吸盘的侧面上沿周向设有凹槽，所述校正环嵌设于所述凹槽中与所述静电吸盘的侧面形成卡接并得到定位，所述校正环的外侧面自所述凹槽中露出，以与所述聚焦环形成抵接。
5.根据权利要求4所述的实现聚焦环自动对中的装置，其特征在于，所述校正环露出的外侧面包括弧形面或梯台形面。
6.根据权利要求5所述的实现聚焦环自动对中的装置，其特征在于，所述梯台形面上朝向上方的梯台侧面包括水平面。
7.根据权利要求6所述的实现聚焦环自动对中的装置，其特征在于，所述梯台侧面与所述梯台形的面向所述聚焦环的梯台台面之间设有安装导向。
8.根据权利要求4所述的实现聚焦环自动对中的装置，其特征在于，所述凹槽的底面上设有顶出机构。
9.根据权利要求8所述的实现聚焦环自动对中的装置，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙虎，陶龙海，
申请(专利权)人：上海芯之翼半导体材料有限公司，
类型：发明
国别省市：
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