【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体设备领域，特别涉及一种干法刻蚀设备用环件。
技术介绍
1、刻蚀是半导体晶圆制造中核心步骤之一，其主要原理是利用化学或物理方法，将晶圆表面附着的不必要材质去除的过程，分为干法刻蚀和湿法刻蚀，其中，干法刻蚀占主导地位。干法刻蚀是用等离子体对晶圆进行刻蚀，其从设备的顶部喷头喷出至晶圆表面，再由设备底部的泵将其抽走；为了保证晶圆表面刻蚀的均匀性和较好的刻蚀效果，通常在晶圆的周向加设环件，环件对等离子体的流向产生干扰，从而产生较好的刻蚀效果。环件结构如图1所示，图2示出了其截面形状，晶圆位于环件的中间位置处，等离子体从环件的底面的格栅(沿周向设置的多个通孔)向下流动并最终排出腔室。
2、环件长期与等离子体接触后尤其是格栅部分被腐蚀的程度更严重，需要定期更换环件(环件是耗材)，但环件一般是一体式结构，材质为多晶硅材料，原材料成本高昂，导致环件单价成本高昂，更换后直接报废，造成一定程度的浪费且刻蚀工艺整体成本高。对报废后的环件观察发现，其通常是下半部分被严重腐蚀，但上半部分几乎完好，这也造成一定程度上的用料浪费。
<...【技术保护点】
1.一种干法刻蚀设备用环件，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的干法刻蚀设备用环件，其特征在于，所述上环部与所述下环部通过紧固件连接。
3.如权利要求2所述的干法刻蚀设备用环件，其特征在于，所述上环部与所述下环部形成为径向一字面接触；
4.如权利要求2所述的干法刻蚀设备用环件，其特征在于，所述上环部与所述下环部形成为阶梯面接触；
5.如权利要求1所述的干法刻蚀设备用环件，其特征在于，所述上环部与所述下环部通过螺纹连接。
6.如权利要求5所述的干法刻蚀设备用环件，其特征在于，所述上环部的外侧壁形成有外螺纹...
【技术特征摘要】
1.一种干法刻蚀设备用环件，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的干法刻蚀设备用环件，其特征在于，所述上环部与所述下环部通过紧固件连接。
3.如权利要求2所述的干法刻蚀设备用环件，其特征在于，所述上环部与所述下环部形成为径向一字面接触；
4.如权利要求2所述的干法刻蚀设备用环件，其特征在于，所述上环部与所述下环部形成为阶梯面接触；
5.如权利要求1所述的干法刻蚀设备用环件，其特征在于，所述上环部与所述下环部通过螺纹连接。
6.如权利要求5所述的干法刻蚀设备用环件，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙虎，
申请(专利权)人：上海芯之翼半导体材料有限公司，
类型：新型
国别省市：
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