下载具有部分屏蔽层的半导体器件及其制作方法的技术资料

文档序号:43096810

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本申请提供了一种用于制作半导体器件的方法。该方法包括:提供封装基底条带,所述封装基底条带上安装有多组第一电子元件和多组第二电子元件;在所述封装基底条带上形成覆盖所述多组第一电子元件的密封剂层;通过喷涂形成第一屏蔽材料,使得所述第一屏蔽材料从...
该专利属于JCET星科金朋韩国有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过JCET星科金朋韩国有限公司授权不得商用。

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