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本公开实施例提供了一种氮化镓基纳米柱阵列结构，包括：氮化镓模板；介质掩模层，生长于氮化镓模板上，具有刻蚀至氮化镓模板的周期性的纳米圆孔；纳米柱阵列，生长于介质掩模层的纳米圆孔所在位置，纳米柱阵列中的每个纳米柱从下至上依次包括N型氮化镓纳米柱...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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