具有特定第二半导体膜层的背接触电池及制作方法和应用技术

本发明专利技术属于背接触电池技术领域，具体涉及一种具有特定第二半导体膜层的背接触电池及制作方法和应用，包括硅片，在硅片背面交替设置的第一半导体膜层和第二半导体膜层，第一半导体膜层包含隧穿氧化层和N型掺杂多晶硅层，第二半导体膜层包含沿背面向外依次设置的非晶态氧化钼膜层和结晶态氧化钼膜层，结晶态氧化钼膜层的晶化率为60%‑90%，非晶态氧化钼膜层和结晶态氧化钼膜层的厚度之比为1：0.6‑3，且隧穿氧化层的厚度与非晶态氧化钼膜层的厚度的比例为1：5‑30。本发明专利技术能兼顾较好的钝化效果和导电效果，从而提升电池转换效率，可用沉积设备成本低，利于产线大规模推广。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于背接触电池，具体涉及一种具有特定第二半导体膜层的背接触电池及制作方法和应用。

技术介绍

1、目前，背接触电池包括在背面和正面设置的各膜层，其中在硅片背面交替设置第一半导体膜层和第二半导体膜层，背面的第二半导体膜层一般包含本征非晶或微晶硅层及p型掺杂非晶或微晶硅层，常采用pecvd或hot-wire方式形成。

2、然而，pecvd设备成本较高，不利于产线大规模推广。现有的p型非晶或微晶硅层寄生吸收严重，电流会受到一定影响。

3、需要说明的是，本专利技术的该部分内容仅提供与本专利技术有关的
技术介绍
，而并不必然构成现有技术或公知技术。

技术实现思路

1、本专利技术的目的是为了克服现有技术存在的背接触电池的p型非晶或微晶硅层寄生吸收严重而影响电流的缺陷，提供一种具有特定第二半导体膜层的背接触电池及制作方法和应用，其能兼顾较好的钝化效果和导电效果，从而提升电池转换效率，可用沉积设备成本低，利于产线大规模推广。

2、为了实现上述目的，第一方面，本专利技术提供一种具有特定第本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种具有特定第二半导体膜层的背接触电池，包括硅片，在硅片背面交替设置的第一半导体膜层和第二半导体膜层，第一半导体膜层包含隧穿氧化层和N型掺杂多晶硅层，其特征在于，第二半导体膜层包含沿背面向外依次设置的非晶态氧化钼膜层和结晶态氧化钼膜层，结晶态氧化钼膜层的晶化率为60%-90%，非晶态氧化钼膜层和结晶态氧化钼膜层的厚度之比为1：0.6-3，且隧穿氧化层的厚度与非晶态氧化钼膜层的厚度的比例为1：5-30。

2.根据权利要求1所述的具有特定第二半导体膜层的背接触电池，其特征在于，非晶态氧化钼膜层的厚度为10-30nm，结晶态氧化钼膜层的厚度为20-30nm。

3.根...

【技术特征摘要】

1.一种具有特定第二半导体膜层的背接触电池，包括硅片，在硅片背面交替设置的第一半导体膜层和第二半导体膜层，第一半导体膜层包含隧穿氧化层和n型掺杂多晶硅层，其特征在于，第二半导体膜层包含沿背面向外依次设置的非晶态氧化钼膜层和结晶态氧化钼膜层，结晶态氧化钼膜层的晶化率为60%-90%，非晶态氧化钼膜层和结晶态氧化钼膜层的厚度之比为1：0.6-3，且隧穿氧化层的厚度与非晶态氧化钼膜层的厚度的比例为1：5-30。

2.根据权利要求1所述的具有特定第二半导体膜层的背接触电池，其特征在于，非晶态氧化钼膜层的厚度为10-30nm，结晶态氧化钼膜层的厚度为20-30nm。

3.根据权利要求1所述的具有特定第二半导体膜层的背接触电池，其特征在于，非晶态氧化钼膜层和结晶态氧化钼膜层的总厚度为30-60nm。

4.根据权利要求1所述的具有特定第二半导体膜层的背接触电池，其特征在于，所述第二半导体膜层的两端分别向外延伸至覆盖在相邻的第一半导体膜层的部分背面外，并在第一半导体膜层的背面开设不覆盖第二半导体膜层的第一半导体开口区，相邻的第一半导体膜层之间形成第二半导体开口区，第二半导体开口区与第一半导体开口区间隔排列且它们之间的区域为间隔区；在间隔区内，第一半导体膜层和第二半导体膜层之间设置隔离层或不设置隔离层；

5.根据权利要求4所述的具有特定第二半导体膜层的背接触电池，其特征在于，n型掺杂多晶硅层增厚至其厚度与非晶态氧化钼膜层和结晶态氧化钼膜层的总厚度的比例为1.7-5：1；

6.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：林楷睿，许志，
申请(专利权)人：金阳泉州新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：