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本发明属于背接触电池技术领域，具体涉及一种具有特定第二半导体膜层的背接触电池及制作方法和应用，包括硅片，在硅片背面交替设置的第一半导体膜层和第二半导体膜层，第一半导体膜层包含隧穿氧化层和N型掺杂多晶硅层，第二半导体膜层包含沿背面向外依次设置...
该专利属于金阳（泉州）新能源科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过金阳（泉州）新能源科技有限公司授权不得商用。

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