金阳泉州新能源科技有限公司专利技术

金阳泉州新能源科技有限公司共有46项专利

  • 本技术公开了一种锂电池集流体,其包含聚合物膜层,聚合物膜层的其中一面或两面设置镶嵌有纳米纤维和纳米合金金属颗粒的胶层、及设置在胶层表面的导电层。所述纳米纤维和纳米合金金属颗粒部分镶嵌在胶层内,部分裸露在胶层表面;横纵交错分布镶嵌在胶层中...
  • 本发明属于背接触电池技术领域,具体涉及一种背接触电池串及其制作方法和光伏组件,包括若干背接触电池片,所述背接触电池片中无金属电极,且所述背接触电池串还包括固化导电胶体和包含导电层的汇流板,所述汇流板通过导电层贴附在若干背接触电池片的导电...
  • 本发明属于背接触太阳电池技术领域,具体涉及一种硅基薄膜背接触太阳电池及其制造方法和电池模组,包括基板,在基板的背面依次设置的减反层、背面钝化层、硅薄膜吸收层、半导体分布层、金属电极,所述半导体分布层包括交替排列的第一半导体层和第二半导体...
  • 本发明属于背接触电池技术领域,具体涉及一种背接触电池及其制备方法和电池组件,背接触电池包括具有正面和背面的硅片,设置在背面且沿硅片的Y轴方向交替排布的第一半导体层和第二半导体层,还包括沿硅片的Z轴方向向外依次设置的硅合金层和金属导电层,...
  • 本发明属于背接触电池技术领域,具体涉及一种背接触电池及其制备方法和电池组件,背接触电池包括具有正面和背面的硅片,设置在背面且沿硅片的Y轴方向交替排布的第一半导体层和第二半导体层,且所述第二半导体层的端部延伸至相邻的第一半导体层端部的外表...
  • 本发明属于背接触电池技术领域,具体涉及一种基于P型硅片的联合钝化背接触电池及其制备和光伏组件,包括硅片、第一半导体层和第二半导体层,以及正面钝化层和减反层,所述硅片为P型,且所述硅片的正面设置有硼掺杂区,所述正面钝化层和减反层依次设置在...
  • 本发明属于联合钝化背接触电池技术领域,具体涉及一种联合钝化背接触电池及其制备方法和电池组件,联合钝化背接触电池中,在所述第一半导体开口区和所述第二半导体开口区之间设置或不设置间隔区,间隔区为所述第二半导体层的边缘延伸至相邻的第一半导体层...
  • 本发明属于背接触电池技术领域,具体涉及一种具有特定正面钝化结构的背接触电池及其制备方法和应用,背接触电池包括具有正面和背面的硅片,在硅片背面分别设置的第一半导体层和第二半导体层,在硅片正面向外依次设置的第三半导体层和减反层,所述第三半导...
  • 本发明属于背接触电池制备技术领域,具体涉及一种背接触电池的一次退火制备方法,包括如下步骤:S1、提供双面抛光的硅片;S2、采用管式多晶硅沉积炉,在硅片背面依次沉积第一半导体层和第一掩膜层,该步骤不进行退火;S3、在背面进行第一次刻蚀开口...
  • 本发明属于背接触电池技术领域,具体涉及一种去除部分掩膜层的联合钝化背接触电池的制备方法,包括以下步骤:S1、提供双面抛光的硅片;S2、在S1所得硅片背面依次形成第一半导体层、掩膜层,S3、对第一半导体层进行第一刻蚀,形成间隔分布的第二半...
  • 本发明公开了一种可折叠柔性太阳能模组遮阳棚,包括墙码、曲臂固定杆、弹力曲臂、卷绕转轴、移动前杆、前挡板、后挡板、卷轴与固定杆连接配件、牵引绳和可折叠柔性太阳能组件,所述墙码固定安装在固定场景上,曲臂固定杆安装在墙码上,所述弹力曲臂一端与...
  • 本发明属于背接触电池技术领域,具体涉及一种背接触电池及其制作方法,包括硅片,第一半导体层,第二半导体层,以及导电膜层,导电膜层上开设隔离槽;还包括:绝缘油墨层,其为若干个且均设置在所述第二半导体层与导电膜层之间并沿背面
  • 本发明属于联合钝化背接触电池制备技术领域,具体涉及一种联合钝化背接触电池及其一次退火制备方法,包括:
  • 本发明属于联合钝化背接触电池制备技术领域,具体涉及一种联合钝化背接触电池的短流程制备方法及其应用,短流程制备方法包括:
  • 本发明属于背接触电池制备技术领域,具体涉及一种减小背接触电池弯曲程度的串焊方法,包括以下步骤:
  • 本发明属于背接触太阳能电池技术领域,具体涉及一种高转换效率的背接触太阳能电池及其制备方法和组件,背接触太阳能电池,包括具有正面和背面的硅片,与硅片正面接触的正面钝化层,与硅片背面接触且间隔排布的第一半导体层,至少部分位于相邻第一半导体层...
  • 本发明属于背接触电池技术领域,具体涉及一种背接触电池模组及其制备方法,包括:S1、对位互联:在背板基材上表面设置后胶膜,然后在后胶膜的上表面通过双面胶粘附焊带,得到集成焊带的光伏背板;将若干电池片放置于所述集成焊带的光伏背板上,所述电池...
  • 本发明属于联合钝化背接触电池制备技术领域,具体涉及联合钝化背接触电池及去除侧蚀残留掩膜层的后制绒方法,方法包括:S101、提供双面抛光并清洗后的硅片;S102、在硅片的背面依次形成第一半导体层、掩膜层,S103、背面形成第二半导体开口区...
  • 本发明属于背接触电池制备技术领域,具体涉及电池正背面同时生长不同厚度多晶硅的方法和背接触电池,方法包括:S1、提供背面抛光正面制绒的硅片;S2、控制硅片成对间隔设置且正面面对面设置,成对硅片的正面之间的间距为S1,前一成对硅片的背面与相...
  • 本发明公开一种双官能团离子液体电解液的制备方法,其采用功能化离子液体单体,如1