一种背接触电池及其制备方法和电池组件技术

本发明专利技术属于背接触电池技术领域，具体涉及一种背接触电池及其制备方法和电池组件，背接触电池包括具有正面和背面的硅片，设置在背面且沿硅片的Y轴方向交替排布的第一半导体层和第二半导体层，还包括沿硅片的Z轴方向向外依次设置的硅合金层和金属导电层，所述硅合金层设置在所述第二半导体层的外表面并延伸至相邻的第一掺杂硅晶层的外表面；硅合金层的方块电阻为60‑100，且金属导电层的方块电阻为3‑50。本发明专利技术背接触电池无需额外设置透明导电膜层、细栅和主栅，制程更简单，同时无需使用到昂贵的低温银浆和透明导电膜层，大幅度降低电池的生产成本，同时保证了优异的电池转换效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于背接触电池，具体涉及一种背接触电池及其制备方法和电池组件。

技术介绍

1、现有技术的背接触电池，需要在硅片背面的第一半导体层和第二半导体层的外表面沉积透明导电膜。目前，透明导电膜一般采用透明导电膜ito（氧化铟锡）或tco（导电氧化物）；并通过蚀刻的方式，在第一半导体开口区与第二半导体开口区之间形成绝缘槽及在硅片第一半导体开口区与第二半导体开口区上形成金属栅线电极作为细栅，还设置主栅，一般采用低温银浆形成银栅线。

2、因此，现有技术中存在使用昂贵的透明导电膜和低温银浆，使电池成本居高不下。

3、需要说明的是，本专利技术的该部分内容仅提供与本专利技术有关的
技术介绍
，而并不必然构成现有技术或公知技术。

技术实现思路

1、本专利技术的目的是为了克服现有技术存在的背接触电池中在保证优良电池转换效率的同时，需要使用昂贵的透明导电膜层和低温银浆，使电池成本居高不下的缺陷，提供一种背接触电池及其制备方法和电池组件，该背接触电池无需额外设置透明导电膜层、细栅和主栅，制程更简单，同时无需使本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种背接触电池，包括具有正面和背面的硅片，设置在背面且沿硅片的Y轴方向交替排布的第一半导体层和第二半导体层，所述第一半导体层包括第一掺杂硅晶层，所述第二半导体层包括第二掺杂硅晶层，且所述第二半导体层的端部延伸至相邻的第一半导体层端部的外表面上以形成过渡区域，其特征在于，所述背接触电池还包括沿硅片的Z轴方向向外依次设置的硅合金层和金属导电层，所述硅合金层设置在所述第二半导体层的外表面并延伸至相邻的第一掺杂硅晶层的外表面，且在与过渡区域对应的部分硅合金层及其对应金属导电层上开设有绝缘槽；其中，所述硅合金层含金属硅化物且硅合金层的方块电阻为60-100，且金属导电层的方块电阻为3-50。<...

【技术特征摘要】

1.一种背接触电池，包括具有正面和背面的硅片，设置在背面且沿硅片的y轴方向交替排布的第一半导体层和第二半导体层，所述第一半导体层包括第一掺杂硅晶层，所述第二半导体层包括第二掺杂硅晶层，且所述第二半导体层的端部延伸至相邻的第一半导体层端部的外表面上以形成过渡区域，其特征在于，所述背接触电池还包括沿硅片的z轴方向向外依次设置的硅合金层和金属导电层，所述硅合金层设置在所述第二半导体层的外表面并延伸至相邻的第一掺杂硅晶层的外表面，且在与过渡区域对应的部分硅合金层及其对应金属导电层上开设有绝缘槽；其中，所述硅合金层含金属硅化物且硅合金层的方块电阻为60-100，且金属导电层的方块电阻为3-50。

2.根据权利要求1所述的背接触电池，其特征在于，所述金属硅化物和所述金属导电层中各自所含的金属元素各自独立地包括镍、铝、铂、钴、钛、钨中的至少一种。

3.根据权利要求2所述的背接触电池，其特征在于，所述金属硅化物和所述金属导电层中各自所含的金属元素相同。

4.根据权利要求2所述的背接触电池，其特征在于，所述金属硅化物包括硅化镍、硅化铝、硅化铂中的至少一种；

5.根据权利要求1所述的背接触电池，其特征在于，所述硅合金层和金属导电层的厚度之比为1：1-15；

6.根据权利要求1所述的背接触电池，其特征在于，所述硅合金层还含掺杂元素，掺杂元素包括硼或磷。

7.根据权利要求6所述的背接触电池，其特征在于，所述硅合金层与第一掺杂硅晶层、第二掺杂硅晶层的面掺杂指数之比为1：30-1000：150-8000，其中，面掺杂指数为相应掺杂硅层的有效掺杂浓度与该掺杂硅层厚度的比值。

8.根据权利要求7所述的背接触电池，其特征在于，所述硅合金层的掺杂元素的有效掺杂浓度为5e15 cm-3-5e17cm-3；

9.根据权利要求1所述的背接触电池，其特征在于，所述第一半导体层还包括设置在硅片背面上的第一钝化层，第一钝化层的至少部分位于所述硅片...

【专利技术属性】
技术研发人员：林楷睿，许志，
申请(专利权)人：金阳泉州新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：