一种分段式氧化亚硅碳包覆的方法技术

本发明专利技术提出一种分段式氧化亚硅碳包覆的方法，属于电池技术领域。所述分段式氧化亚硅碳包覆的方法，包括如下步骤：1)将氧化亚硅粉碎至微米级别，得微米级氧化亚硅；2)将步骤1)所得微米级氧化亚硅送入至连续性CVD装置的预包覆炉中，通入包覆碳源气进行预包覆；3)将步骤2)所得预包覆后的微米级氧化亚硅，送入连续性CVD装置的主包覆炉，通入包覆碳源气进行主包覆；4)将步骤3)所得包覆后的微米级氧化亚硅，经筛分，打散，除磁后，得氧化亚硅负极材料。本发明专利技术提出的方法，主要用于氧化亚硅的碳包覆，可使物料在炉内有足够的运动路程，包碳时间足够长，获得碳层更均匀的氧化亚硅材料，其电化学性能更好。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于电池，尤其涉及一种分段式氧化亚硅碳包覆的方法。

技术介绍

1、硅基负极材料理论比容量高达4200mah/g，工作电压较低(＜0.5v)，储量丰富，是极具潜力的一代负极材料。然而，硅(si)在充放电过程中，发生合金化/去合金化过程，这一过程会伴随着巨大的体积膨胀(>300％)，体积膨胀的后果是材料破碎、活性材料脱落及固体电解质(sei)膜不稳定等一系列问题，这严重影响了电池性能和安全性能。

2、相比而言，硅氧化物(siox，0<x≤2)材料可在首次嵌锂过程形成非活性的li2o和li4sio4等惰性物质作为缓冲层，因此，在嵌锂过程中的体积膨胀要明显小于纯硅负极，却还是会达到200％的膨胀率，且氧化亚硅还存在其它缺陷，如低导电性和较低的首次效率。为弥补上述缺陷，常见的且可商业化的方法是：对氧化亚硅的表面进行一层碳包覆，包覆的碳材料不仅能大大提高材料整体的导电性；且在脱嵌锂过程中，表面碳层对亚硅的膨胀有一定的限制作用，可提升材料的整体循环性能。

3、对于能满足工业化规模的氧化亚硅碳包覆方法，行业中一般采用连续型的c本文档来自技高网...

【技术保护点】

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2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

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8.根据权利要求7所述的连续性CVD装置，其特征在于，

9.根据权利要求7所述的连续性CVD装置，其特征在于，

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【技术特征摘要】

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【专利技术属性】
技术研发人员：杜宁，田志远，宋信信，邓欢，岳敏，
申请(专利权)人：碳一新能源杭州有限责任公司，
类型：发明
国别省市：

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