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本发明提出一种分段式氧化亚硅碳包覆的方法,属于电池技术领域。所述分段式氧化亚硅碳包覆的方法,包括如下步骤:1)将氧化亚硅粉碎至微米级别,得微米级氧化亚硅;2)将步骤1)所得微米级氧化亚硅送入至连续性CVD装置的预包覆炉中,通入包覆碳源气进行...该专利属于碳一新能源(杭州)有限责任公司所有,仅供学习研究参考,未经过碳一新能源(杭州)有限责任公司授权不得商用。
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本发明提出一种分段式氧化亚硅碳包覆的方法,属于电池技术领域。所述分段式氧化亚硅碳包覆的方法,包括如下步骤:1)将氧化亚硅粉碎至微米级别,得微米级氧化亚硅;2)将步骤1)所得微米级氧化亚硅送入至连续性CVD装置的预包覆炉中,通入包覆碳源气进行...