一种联合钝化背接触电池及其制备方法和电池组件技术

本发明专利技术属于联合钝化背接触电池技术领域，具体涉及一种联合钝化背接触电池及其制备方法和电池组件，联合钝化背接触电池中，在所述第一半导体开口区和所述第二半导体开口区之间设置或不设置间隔区，间隔区为所述第二半导体层的边缘延伸至相邻的第一半导体层的Z轴方向外表面而形成的叠层结构，且在X轴方向上，所述隔离槽横跨间隔区并继续延伸分别横跨至第二半导体开口区内、第一半导体开口区内。本发明专利技术联合钝化背接触电池大幅减少或完全消除第二半导体开口区与第一半导体开口区之间的间距，从而有利于增加导电膜层与相应半导体开口区的接触面积占比，减小载流子横向传输距离，减少了电池背面寄生吸收，从而增加了电池电流、提高电池转换效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于联合钝化背接触电池，具体涉及一种联合钝化背接触电池及其制备方法和电池组件。

技术介绍

1、目前，背接触异质结太阳电池，工艺流程一般为：s11、硅片双面抛光；s12、硅片背面镀第一掩膜层保护；s13、硅片制绒清洗，在第一掩膜层的对面形成金字塔绒面，之后去除第一掩膜层，形成单面制绒、单面抛光结构的硅片；s14、硅片背面依次镀第一半导体层及第二掩膜层，第一半导体层包含本征非晶或微晶硅层及n型或p型掺杂非晶或微晶硅层，所述第二掩膜层一般为氮化硅；s15、在硅片背面激光或蚀刻开口，去除第二掩膜层及部分第一半导体层，形成第二半导体开口区；s16、硅片清洗，去除第二半导体开口区内的第一半导体层；s17、硅片正面依次形成非晶层及减反层，背面形成第二半导体层，第二半导体层包含本征非晶或微晶硅层及p型或n型掺杂非晶或微晶硅层（当第一半导体层为n型时第二半导体层为p型，当第一半导体层为p型时第二半导体层为n型）；s18、硅片背面激光或蚀刻开口，形成与第二半导体开口区交替排列的第一半导体开口区；s19、硅片清洗，去除第一半导体开口区内的第二掩膜层；s20、硅片背面沉本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种联合钝化背接触电池，包括具有正面和背面的硅片，沿硅片背面的X轴方向交替排布的第一半导体层和第二半导体层，以及在背面Z轴方向上设置在第一半导体层和第二半导体层的外表面的导电膜层，所述导电膜层上开设有隔离槽，相邻的第二半导体层之间形成第一半导体开口区，第二半导体层外表面具有第二半导体开口区；其中，所述第一半导体层包括隧穿氧化层和第一掺杂多晶硅层，第二半导体层包括本征硅层和第二掺杂硅层，其特征在于，在所述第一半导体开口区和所述第二半导体开口区之间设置或不设置间隔区，间隔区为所述第二半导体层的边缘延伸至相邻的第一半导体层的Z轴方向外表面而形成的叠层结构，间隔区在X轴方向上的宽度Wa11为...

【技术特征摘要】

1.一种联合钝化背接触电池，包括具有正面和背面的硅片，沿硅片背面的x轴方向交替排布的第一半导体层和第二半导体层，以及在背面z轴方向上设置在第一半导体层和第二半导体层的外表面的导电膜层，所述导电膜层上开设有隔离槽，相邻的第二半导体层之间形成第一半导体开口区，第二半导体层外表面具有第二半导体开口区；其中，所述第一半导体层包括隧穿氧化层和第一掺杂多晶硅层，第二半导体层包括本征硅层和第二掺杂硅层，其特征在于，在所述第一半导体开口区和所述第二半导体开口区之间设置或不设置间隔区，间隔区为所述第二半导体层的边缘延伸至相邻的第一半导体层的z轴方向外表面而形成的叠层结构，间隔区在x轴方向上的宽度wa11为0-50μm，且在x轴方向上，所述隔离槽横跨间隔区并继续延伸分别横跨至第二半导体开口区内、第一半导体开口区内，所述隔离槽的宽度wa为20-120μm，且在平行于硅片的同一平面上，所述导电膜层与其对应半导体开口区的接触面积之和占硅片整体面积的70%-95%。

2.根据权利要求1所述的联合钝化背接触电池，其特征在于，所述第二半导体层的边缘仅延伸至相邻的第一半导体层的x轴方向侧面的外表面，在所述第一半导体开口区和所述第二半导体开口区之间不设置间隔区；

3.根据权利要求1所述的联合钝化背接触电池，其特征在于，所述隔离槽在第一半导体开口区内的横跨宽度wa1为隔离槽的...

【专利技术属性】
技术研发人员：林楷睿，
申请(专利权)人：金阳泉州新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：