一种具有终端结构的半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种具有终端结构的半导体器件及其制造方法，半导体器件包括：第一主表面和第二主表面，第二主表面与第一主表面相对；第一导电类型的漂移区，第一导电类型的漂移区设于第一主表面和第二主表面之间；至少一个沟槽对，沟槽对由第一主表面延伸至第一导电类型的漂移区中；沟槽中填充或不填充导电材料；沟槽电连接或不电连接至接触金属；第二导电类型的高掺杂层，第二导电类型的高掺杂层设于一个沟槽对中间，第二导电类型的高掺杂层在蚀刻沟槽对之后进行扩散。在蚀刻沟槽对之后扩散第二导电类型的高掺杂注入层，在沟槽对的侧壁的引导下，可确保该层的垂直扩散得到更好的控制，防止掺杂离子沉积在沟槽底部下方。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体，具体涉及一种具有终端结构的半导体器件及其制造方法。

技术介绍

1、功率半导体器件通常包括有源区单元和围绕有源区单元的终端区，该终端区电隔离并保护器件免受高电压的影响。目前，为了在减小终端区的尺寸的同时提高器件的击穿能力，多种终端结构已被开发。缩小终端区域的好处是可以扩大有源单元区域，这有利于降低导通电阻，因此可以减少导通损耗。在终端区域中使用沟槽结构而不是传统的p+环型（如图10所示），可以实现终端区域的显著减小。除了终端结构之外，仍然需要改进功率器件的制造方法，以确保在使用最低数量的掩模工艺的同时对工艺进行良好的控制。

2、在美国专利no.8686468中披露的终端结构包括在终端处的宽沟槽和具有优异电压击穿能力的间隔物状栅极结构。然而，当制造所描述的终端区域结构时，为节省主体掩模，在有源区域中蚀刻多个沟槽之前外延形成用于形成p主体区域的p型掺杂区域，会导致在牺牲氧化层的生长步骤期间硼沿着沟槽侧壁偏析。这会导致击穿现象漏洞。

3、为了克服上述问题，在美国专利no.7612407中披露了另一种宽沟槽场板半导体功率本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种具有终端结构的半导体器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的具有终端结构的半导体器件，其特征在于：

3.根据权利要求2所述的具有终端结构的半导体器件，其特征在于：

4.根据权利要求1所述的具有终端结构的半导体器件，其特征在于：

5.根据权利要求4所述的具有终端结构的半导体器件，其特征在于，还包括：

6.根据权利要求5所述的具有终端结构的半导体器件，其特征在于，还包括：

7.根据权利要求1所述的具有终端结构的半导体器件，其特征在于：

8.根据权利要求7所述的具有终端结构的半导体器件，其特征...

【技术特征摘要】

1.一种具有终端结构的半导体器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的具有终端结构的半导体器件，其特征在于：

3.根据权利要求2所述的具有终端结构的半导体器件，其特征在于：

4.根据权利要求1所述的具有终端结构的半导体器件，其特征在于：

5.根据权利要求4所述的具有终端结构的半导体器件，其特征在于，还包括：

6.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：宝拉·迪亚兹·雷戈萨，尼克·吉尔·施耐德，拉尔斯·诺尔·克里斯蒂安，
申请(专利权)人：赛晶亚太半导体科技浙江有限公司，
类型：发明
国别省市：