一种相邻主栅特定间距的背接触电池及光伏组件制造技术

技术编号:43093512 阅读:23 留言:0更新日期:2024-10-26 09:40
本发明专利技术的实施例提供了一种相邻主栅特定间距的背接触电池及光伏组件,涉及背接触电池技术领域。该相邻主栅特定间距的背接触电池包括硅片以及在硅片的背面交替设置的第一半导体层、第二半导体层,第一半导体层上设有透明导电膜层,第二半导体层上设有金属导电膜层,硅片的背面预设主栅或焊带的区域交替设有若干绝缘块,第一半导体层包括第一半导体开口区,第二半导体层包括第二半导体开口区,相邻两个绝缘块之间的间距为2mm‑6mm。缩小了间距能够大幅降低金属导电膜层的导电性要求,从而降低导电膜层的线电阻的要求,使得导电膜层可以采用高方阻的膜层结构,而且很容易实现透明导电膜层和金属导电膜层同时沉积且不影响电池效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及背接触电池,具体而言,涉及一种相邻主栅特定间距的背接触电池及光伏组件


技术介绍

1、背接触太阳能电池是一种将发射极和基极接触电极均放置在电池背面(非受光面)的电池,该电池的受光面无任何金属电极遮挡,从而有效增加了电池片的短路电流,同时背面可以容许较宽的金属栅线来降低串联电阻从而提高填充因子;并且这种正面无遮挡的电池不仅转换效率高,而且看上去更美观,同时全背电极的组件更易于装配。对于背接触太阳能电池而言,多主栅可以缩短电流在金属细栅电极上的传输长度,根据功率损失(p=i2r)计算,主栅数量增加,相当于将电池划分为更多的单元块,每个单元块的电流更小,同时可以减少电流在细栅上的传输距离,从而降低了细栅电极的导电要求。

2、现有技术中的背接触电池存在对细栅的线电阻要求很高,电池效率低下的技术问题。


技术实现思路

1、本专利技术提供了一种相邻主栅特定间距的背接触电池及光伏组件,其能够降低背接触电池对线电阻的要求,有效提高电池效率。

2、本专利技术的实施例可以这样实现:

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【技术保护点】

1.一种相邻主栅特定间距的背接触电池,其特征在于,包括硅片(1)以及在所述硅片(1)的背面交替设置的第一半导体层、第二半导体层,所述第一半导体层上设有透明导电膜层(7),所述第二半导体层上设有金属导电膜层(8),所述硅片(1)的背面预设主栅(10)或焊带的区域交替设有若干绝缘块(9),所述第一半导体层包括第一半导体开口区(W1),所述第二半导体层包括第二半导体开口区(W2),所述第二半导体层的两端分别向外延伸,并覆盖在所述第一半导体层的部分背面,所述第一半导体层和第二半导体层在竖直方向上的层叠部分形成交叠区(W12),所述第一半导体层和所述第二半导体层之间将所述透明导电膜层(7)和所述金...

【技术特征摘要】

1.一种相邻主栅特定间距的背接触电池,其特征在于,包括硅片(1)以及在所述硅片(1)的背面交替设置的第一半导体层、第二半导体层,所述第一半导体层上设有透明导电膜层(7),所述第二半导体层上设有金属导电膜层(8),所述硅片(1)的背面预设主栅(10)或焊带的区域交替设有若干绝缘块(9),所述第一半导体层包括第一半导体开口区(w1),所述第二半导体层包括第二半导体开口区(w2),所述第二半导体层的两端分别向外延伸,并覆盖在所述第一半导体层的部分背面,所述第一半导体层和第二半导体层在竖直方向上的层叠部分形成交叠区(w12),所述第一半导体层和所述第二半导体层之间将所述透明导电膜层(7)和所述金属导电膜层(8)隔离开形成隔离区(w3),所述隔离区(w3)位于所述交叠区(w12)内,或所述隔离区(w3)跨接所述交叠区(w12)和所述第二半导体开口区(w2),或所述隔离区(w3)跨接所述第一半导体开口区(w1)和所述第二半导体开口区(w2);

2.根据权利要求1所述的相邻主栅特定间距的背接触电池,其特征在于,所述金属导电膜层(8)和透明导电膜层(7)的线电阻为10ω/cm-20ω/cm。

3.根据权利要求1所述的相邻主栅特定间距的背接触电池,其特征在于,所述金属导电膜层(8)采用金属锡、镍、镍合金、铝或铟中的至少一种。

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【专利技术属性】
技术研发人员:林楷睿
申请(专利权)人:金阳泉州新能源科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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