Micro-LED显示芯片制备方法及Micro-LED显示芯片技术

本发明专利技术提供了一种Micro‑LED显示芯片制备方法及Micro‑LED显示芯片，制备方法包括：在生长衬底上沉积GaN外延层和第一键合金属层；在驱动电路基板表面沉积第二键合金属层后与第一键合金属层键合；去除生长衬底及部分GaN外延层后进行光刻和刻蚀，以形成若干相互独立的Micro‑LED单元；沉积钝化层和N电极层，得到若干独立的发光台面；在相邻的两发光台面之间沉积环形的金属电极，在金属电极与发光台面之间填充含有量子点和纳米荧光粉的粘性光学涂层；制备微透镜阵列后贴合在粘性光学涂层上，以得到目标Micro‑LED显示芯片。本申请的Micro‑LED显示芯片为全彩显示芯片，发光亮度强、效率高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制备，具体涉及一种micro-led显示芯片制备方法及micro-led显示芯片。

技术介绍

1、近年来，led芯片以其高效、节能、环保等诸多优点而广泛应用于照明和显示领域，led芯片的制作过程中包括了准备衬底，并在衬底上沉积外延片形成晶圆，然后在晶圆上制备满足要求的led芯片。

2、micro-led（微型发光二极管）作为新一代显示技术，相对于常规led而言，具有亮度更高、发光效率更好、功耗更低的优势，具有很高的研发价值和使用价值，micro-led 显示技术是一种自发光显示技术，通过在驱动电路基板上集成阵列的微米级 led 单元来输出显示图像，从而实现单独控制和照明。

3、目前，micro-led的发光技术研究主要在于如何提高显示芯片的亮度和发光效率，对于如何实现micro-led的全彩化，目前行业内研究较少。

技术实现思路

1、基于此，本专利技术的目的是提供一种micro-led显示芯片制备方法，以解决现有技术中的问题。

2、本专利技术一方面提供一本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种Micro-LED显示芯片制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的Micro-LED显示芯片制备方法，其特征在于，所述驱动电路基板内设有若干电极触点，若干所述电极触点与所述第二键合金属层电性连通，所述第一键合金属层和所述第二键合金属层通过热压键合的方式进行键合绑定。

3.根据权利要求2所述的Micro-LED显示芯片制备方法，其特征在于，所述去除所述生长衬底及部分所述GaN外延层，在去除部分所述GaN外延层的外延片表面进行光刻和刻蚀，以形成若干相互独立的Micro-LED单元的步骤包括：

4.根据权利要求1所述的Micro...

【技术特征摘要】

1.一种micro-led显示芯片制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的micro-led显示芯片制备方法，其特征在于，所述驱动电路基板内设有若干电极触点，若干所述电极触点与所述第二键合金属层电性连通，所述第一键合金属层和所述第二键合金属层通过热压键合的方式进行键合绑定。

3.根据权利要求2所述的micro-led显示芯片制备方法，其特征在于，所述去除所述生长衬底及部分所述gan外延层，在去除部分所述gan外延层的外延片表面进行光刻和刻蚀，以形成若干相互独立的micro-led单元的步骤包括：

4.根据权利要求1所述的micro-led显示芯片制备方法，其特征在于，所述在形成若干所述micro-led单元的外延片表面及所述micro-led单元上沉积钝化层和n电极层的步骤包括：

5.根据权利要求1所述的micro-led显示芯片制备方法，其特征在于，所述粘性光学涂层的高度高于所述发光台面，所述粘性光学涂层通过打印工艺完成填充，所述微透镜阵列采用纳米压印工艺制备。

6.一种micro-...

【专利技术属性】
技术研发人员：封波，喻文辉，彭康伟，
申请(专利权)人：江西求是高等研究院，
类型：发明
国别省市：