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本发明提供了一种Micro‑LED显示芯片制备方法及Micro‑LED显示芯片，制备方法包括：在生长衬底上沉积GaN外延层和第一键合金属层；在驱动电路基板表面沉积第二键合金属层后与第一键合金属层键合；去除生长衬底及部分GaN外延层后进行光刻...
该专利属于江西求是高等研究院所有，仅供学习研究参考，未经过江西求是高等研究院授权不得商用。

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