【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光电，具体涉及一种倒装发光二极管制备方法及倒装发光二极管。
技术介绍
1、倒装发光二极管芯片以背面出光、散热能力强、焊接性好、推力大、可靠性强等优点被广泛应用，最开始人们用布拉格反射镜做为反射镜使得倒装发光二极管可以背面出光，近些年，人们开始在布拉格反射镜上增加布拉格反射层，提高反射镜的反射效果，最终提升倒装发光二极管芯片的外量子效率。
2、现有的倒装发光二极管芯片在制备连接电极之前，需要利用icp（inductivelycoupled plasma，电感耦合等离子体）刻蚀工艺去除n型半导体层导电台阶上的电流阻挡层，但是icp刻蚀工艺去除n型半导体层导电台阶上的电流阻挡层之后会产生高电压，导致在n型半导体层导电台阶周围集中发热的问题，影响了产品质量。
技术实现思路
1、基于此，本专利技术的目的是提供一种倒装发光二极管制备方法及倒装发光二极管，以解决现有技术中存在的问题。
2、本专利技术提供一种倒装发光二极管制备方法，包括以下步骤：
3、s1...
【技术保护点】
1.一种倒装发光二极管制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的倒装发光二极管制备方法，其特征在于，所述对所述外延层表面部分区域进行刻蚀，刻蚀深度直至所述N型半导体层，得到N型半导体层导电台阶，以在所述外延层上形成N型区，在所述外延层表面的其他未刻蚀区域上制备电流扩展层，以在所述外延层上形成P型区的步骤包括：
3.根据权利要求2所述的倒装发光二极管制备方法，其特征在于，所述在所述N型区和所述P型区的表面制备电流阻挡层和布拉格反射层，对所述布拉格反射层进行刻蚀，以在所述布拉格反射层上形成布拉格反射层通孔的步骤包括：
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