【技术实现步骤摘要】
本公开实施例涉及半导体，尤其涉及一种半导体器件及其制造方法。
技术介绍
1、在现代电力电子领域，终端结构的优化对于提高半导体器件的性能至关重要。特别是在高电压应用中，如电动汽车、可再生能源转换系统和高压输电网络，终端结构的设计直接关系到器件的击穿电压、漏电流控制和长期可靠性。传统的硅（si）基半导体器件在这些高压环境下面临着性能瓶颈，而碳化硅（sic）作为一种宽禁带半导体材料，因其卓越的电气特性和热稳定性，提供了突破这些限制的潜力。sic器件的终端结构设计，通过精确控制电场分布和优化器件内部的电介质层，能够显著提高器件的击穿电压，且能够减少漏电流，从而在高压、高温和高功率密度的应用中展现出卓越的性能。
2、随着电力电子技术的不断进步，对半导体器件的可靠性和稳定性提出了更高的要求。现有的sic器件的终端结构的可靠性较低，可能造成器件漏电的技术问题。
技术实现思路
1、有鉴于此，本公开实施例期望提供一种半导体器件及其制造方法；能够解决现有技术中的sic器件的终端结构的可靠性较低，容...
【技术保护点】
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体器件包括有源区和终端结构，所述方法还包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述层间介电层（4）包括栅隔离层和绝缘层，所述绝缘层位于所述栅隔离层远离所述栅极氧化层（2）的一侧；
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在形成栅极氧化层（2）之前，所述方法还包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成本体区（12）之前，所述方法还包括：
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体器件包括有源区和终端结构，所述方法还包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述层间介电层（4）包括栅隔离层和绝缘层，所述绝缘层位于所述栅隔离层远离所述栅极氧化层（2）的一侧；
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在形成栅极氧化层（2）之前，所述方法还包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成本体区（12）之前，所述方法还包括：
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第一碳化硅沟槽（11）的数量为多个，所述形成从所述碳化硅本体（...
【专利技术属性】
技术研发人员：张宇，王廷廷，郝建勇，张振中，
申请(专利权)人：苏州中瑞宏芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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