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本公开实施例公开了一种半导体器件及其制造方法，半导体器件的制造方法可以包括：提供碳化硅本体；形成从所述碳化硅本体的第一表面延伸到所述碳化硅本体中的碳化硅沟槽；形成本体区，所述本体区从所述碳化硅沟槽底部延伸至所述碳化硅本体中；形成栅极氧化层，...
该专利属于苏州中瑞宏芯半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州中瑞宏芯半导体有限公司授权不得商用。

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