【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种固定装置,尤其涉及一种应用于液相外延晶片的固定 装置。
技术介绍
液相外延技术是将晶片浸渍于饱和溶液中,通过降温来降低溶液的溶解度,使释出的杂质在晶片衬底表面上生长外延层的一种技术,如GaAs外延层可从 以Ga为溶剂,GaAs为溶质的饱和溶液中生长出来。液相外延技术具有生长设 备简单,外延缺陷少,掺杂选择范围广,生长过程及废弃物无毒、安全等优点, 在发光二极管、激光二极管、太阳能电池、微波器件等材料领域占有重要位置。 目前此一技术己广泛应用于GaAs、 GaAlAs、 GaP、 InP、 GaAsP等半导体材料 的生长。应用于液相外延生长晶片固定装置常面临以下几个方面的难题1、 晶片固定装置如何适应生产中因损耗、切割、打磨等因素而产生的晶片大小变 化;2、如何更好地排出液相外延在完成生长后释出的溶质,以防止此释出的 溶质粘附于晶片表面,影响产品外观;3、装置如何在高温下保证溶液的对流 运动以便实现生长过程中中温场及掺杂的均匀分布。
技术实现思路
本技术的目的在于提供了一种应用于液相外延晶片的固定装置,该装 置应用于大规模液相外延工艺生产的晶片夹具,提高 ...
【技术保护点】
一种应用于液相外延晶片的固定装置,它包括晶片夹板、定位孔、螺栓、螺母,其特征是带有规则排布齿印的晶片夹板上有若干个对称分布的定位孔,螺栓穿过定位孔配合螺母固定连接两块晶片夹板形成一个上下两层有晶片夹板的框架。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:叶建青,何民华,周力,万金平,
申请(专利权)人:南昌欣磊光电科技有限公司,
类型:实用新型
国别省市:36[中国|江西]
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